Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

FGA25S125P
ON Semiconductor

FGA25S125P

جزء الأسهم: 6800

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1250V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.35V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
TIG052TS-TL-E
ON Semiconductor

TIG052TS-TL-E

جزء الأسهم: 6724

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 5.5V @ 2.5V, 150A,

قائمة الرغبات
FGB30N6S2
ON Semiconductor

FGB30N6S2

جزء الأسهم: 6838

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 108A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
NGTB20N120LWG
ON Semiconductor

NGTB20N120LWG

جزء الأسهم: 21982

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 192W,

قائمة الرغبات
NGTB25N120SWG
ON Semiconductor

NGTB25N120SWG

جزء الأسهم: 15347

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 385W,

قائمة الرغبات
NGB8207ANT4G
ON Semiconductor

NGB8207ANT4G

جزء الأسهم: 6774

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 365V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 3.7V, 10A, أقصى القوة: 165W,

قائمة الرغبات
TIG067SS-TL-2W
ON Semiconductor

TIG067SS-TL-2W

جزء الأسهم: 103797

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 5V @ 4V, 150A, أقصى القوة: 1.2W,

قائمة الرغبات
FGS15N40LTF
ON Semiconductor

FGS15N40LTF

جزء الأسهم: 6848

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 130A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 8V @ 4V, 130A, أقصى القوة: 2W,

قائمة الرغبات
NGTB50N60FLWG
ON Semiconductor

NGTB50N60FLWG

جزء الأسهم: 6907

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 223W,

قائمة الرغبات
TIG111BF
ON Semiconductor

TIG111BF

جزء الأسهم: 5747

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 2W,

قائمة الرغبات
ISL9V3040P3
ON Semiconductor

ISL9V3040P3

جزء الأسهم: 33461

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
NGTB45N60S1WG
ON Semiconductor

NGTB45N60S1WG

جزء الأسهم: 31681

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 45A, أقصى القوة: 300W,

قائمة الرغبات
HGT1S3N60A4DS9A
ON Semiconductor

HGT1S3N60A4DS9A

جزء الأسهم: 6653

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 17A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 70W,

قائمة الرغبات
FGB20N6S2D
ON Semiconductor

FGB20N6S2D

جزء الأسهم: 6839

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 28A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
FGA25N120FTD
ON Semiconductor

FGA25N120FTD

جزء الأسهم: 6719

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 313W,

قائمة الرغبات
ISL9V3040S3S
ON Semiconductor

ISL9V3040S3S

جزء الأسهم: 6867

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
FGP30N6S2D
ON Semiconductor

FGP30N6S2D

جزء الأسهم: 6865

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 108A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
TIG066SS-TL-E
ON Semiconductor

TIG066SS-TL-E

جزء الأسهم: 6709

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 5V @ 4V, 150A,

قائمة الرغبات
FGPF15N60UNDF
ON Semiconductor

FGPF15N60UNDF

جزء الأسهم: 46080

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 42W,

قائمة الرغبات
FGP30N6S2
ON Semiconductor

FGP30N6S2

جزء الأسهم: 6861

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 108A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
FGD3040G2_SN00297
ON Semiconductor

FGD3040G2_SN00297

جزء الأسهم: 6856

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.25V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
FGD3040G2
ON Semiconductor

FGD3040G2

جزء الأسهم: 6769

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.25V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
FGPF30N30TDTU
ON Semiconductor

FGPF30N30TDTU

جزء الأسهم: 6718

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 44.6W,

قائمة الرغبات
HGTP7N60A4D
ON Semiconductor

HGTP7N60A4D

جزء الأسهم: 6895

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 34A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
FGB40N6S2
ON Semiconductor

FGB40N6S2

جزء الأسهم: 6854

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
NGTB15N120IHLWG
ON Semiconductor

NGTB15N120IHLWG

جزء الأسهم: 6720

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 156W,

قائمة الرغبات
NGTG30N60FLWG
ON Semiconductor

NGTG30N60FLWG

جزء الأسهم: 22245

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
NGTB15N60EG
ON Semiconductor

NGTB15N60EG

جزء الأسهم: 46999

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 117W,

قائمة الرغبات
NGTB40N60FLWG
ON Semiconductor

NGTB40N60FLWG

جزء الأسهم: 17119

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 257W,

قائمة الرغبات
NGTB75N65FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB75N65FL2WAG

جزء الأسهم: 17241

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 536W,

قائمة الرغبات
NGTB30N60SWG
ON Semiconductor

NGTB30N60SWG

جزء الأسهم: 6761

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 189W,

قائمة الرغبات
NGTB50N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N60FL2WG

جزء الأسهم: 15373

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 417W,

قائمة الرغبات
FGH40T65UPD
ON Semiconductor

FGH40T65UPD

جزء الأسهم: 15897

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 268W,

قائمة الرغبات
HGTG30N60A4
ON Semiconductor

HGTG30N60A4

جزء الأسهم: 10201

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 463W,

قائمة الرغبات
ISL9V5036S3ST_SB82170
ON Semiconductor

ISL9V5036S3ST_SB82170

جزء الأسهم: 6862

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 46A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
HGT1S7N60A4DS
ON Semiconductor

HGT1S7N60A4DS

جزء الأسهم: 6649

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 34A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات