Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

FGA6540WDF
ON Semiconductor

FGA6540WDF

جزء الأسهم: 25417

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 238W,

قائمة الرغبات
NGTB40N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N120IHRWG

جزء الأسهم: 14109

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.55V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 384W,

قائمة الرغبات
HGTG5N120BND
ON Semiconductor

HGTG5N120BND

جزء الأسهم: 23888

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
FGH50N3
ON Semiconductor

FGH50N3

جزء الأسهم: 11903

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 463W,

قائمة الرغبات
FGP10N60UNDF
ON Semiconductor

FGP10N60UNDF

جزء الأسهم: 36448

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 139W,

قائمة الرغبات
NGTB35N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB35N65FL2WG

جزء الأسهم: 33687

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 300W,

قائمة الرغبات
FGAF40N60UFTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFTU

جزء الأسهم: 35991

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
ISL9V5045S3ST
ON Semiconductor

ISL9V5045S3ST

جزء الأسهم: 36869

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 480V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 51A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 300W,

قائمة الرغبات
FGH40T65UQDF-F155
ON Semiconductor

FGH40T65UQDF-F155

جزء الأسهم: 2159

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.67V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 231W,

قائمة الرغبات
FGB3440G2-F085
ON Semiconductor

FGB3440G2-F085

جزء الأسهم: 4330

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 26.9A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.2V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 166W,

قائمة الرغبات
HGTG20N60A4D
ON Semiconductor

HGTG20N60A4D

جزء الأسهم: 14369

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 280A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
FGH40N60SFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU-F085

جزء الأسهم: 2934

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
FGA50N100BNTD2
ON Semiconductor

FGA50N100BNTD2

جزء الأسهم: 8702

نوع IGBT: NPT and Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 156W,

قائمة الرغبات
FGB3236-F085
ON Semiconductor

FGB3236-F085

جزء الأسهم: 349

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 360V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 44A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 187W,

قائمة الرغبات
FGAF40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFDTU

جزء الأسهم: 19234

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
NGTB50N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB50N60L2WG

جزء الأسهم: 9959

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 500W,

قائمة الرغبات
FGB3245G2-F085
ON Semiconductor

FGB3245G2-F085

جزء الأسهم: 305

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.25V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
NGTD20T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD20T120F2WP

جزء الأسهم: 31770

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 20A,

قائمة الرغبات
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor

NGTG12N60TF1G

جزء الأسهم: 49912

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 24A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 88A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 54W,

قائمة الرغبات
FGH40N120ANTU
ON Semiconductor

FGH40N120ANTU

جزء الأسهم: 13888

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 64A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 417W,

قائمة الرغبات
NGTB20N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N120IHRWG

جزء الأسهم: 15535

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 384W,

قائمة الرغبات
FGY75N60SMD
ON Semiconductor

FGY75N60SMD

جزء الأسهم: 11749

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 750W,

قائمة الرغبات
NGTD17T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD17T65F2SWK

جزء الأسهم: 36619

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A,

قائمة الرغبات
FGB20N60SF
ON Semiconductor

FGB20N60SF

جزء الأسهم: 45142

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 208W,

قائمة الرغبات
HGTP12N60A4D
ON Semiconductor

HGTP12N60A4D

جزء الأسهم: 43378

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 54A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
FGP15N60UNDF
ON Semiconductor

FGP15N60UNDF

جزء الأسهم: 27550

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 178W,

قائمة الرغبات
NGTB30N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB30N120FL2WG

جزء الأسهم: 9534

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 452W,

قائمة الرغبات
FGH40N60SFTU
ON Semiconductor

FGH40N60SFTU

جزء الأسهم: 16170

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
ISL9V3040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3040S3ST

جزء الأسهم: 58672

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
FGA40N65SMD
ON Semiconductor

FGA40N65SMD

جزء الأسهم: 32540

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 349W,

قائمة الرغبات
FGH50N6S2D
ON Semiconductor

FGH50N6S2D

جزء الأسهم: 8377

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 463W,

قائمة الرغبات
HGTG27N120BN
ON Semiconductor

HGTG27N120BN

جزء الأسهم: 15836

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 72A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 216A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 27A, أقصى القوة: 500W,

قائمة الرغبات
NGTB30N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N120IHRWG

جزء الأسهم: 20044

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 384W,

قائمة الرغبات
HGTG10N120BND
ON Semiconductor

HGTG10N120BND

جزء الأسهم: 19849

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 35A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 298W,

قائمة الرغبات
FGH40N60UFTU
ON Semiconductor

FGH40N60UFTU

جزء الأسهم: 32584

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
FGA50T65SHD
ON Semiconductor

FGA50T65SHD

جزء الأسهم: 20124

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 319W,

قائمة الرغبات