Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

FGA40T65SHD
ON Semiconductor

FGA40T65SHD

جزء الأسهم: 23321

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 268W,

قائمة الرغبات
FGH60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60UFDTU

جزء الأسهم: 11490

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 298W,

قائمة الرغبات
NGTB15N60S1EG
ON Semiconductor

NGTB15N60S1EG

جزء الأسهم: 47036

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 117W,

قائمة الرغبات
FGY160T65SPD-F085
ON Semiconductor

FGY160T65SPD-F085

جزء الأسهم: 4819

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 240A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 480A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.05V @ 15V, 160A, أقصى القوة: 882W,

قائمة الرغبات
NGTB40N65IHRTG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRTG

جزء الأسهم: 867

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 405W,

قائمة الرغبات
NGTB25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL2WG

جزء الأسهم: 18823

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 385W,

قائمة الرغبات
FGA30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGA30N60LSDTU

جزء الأسهم: 19793

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 480W,

قائمة الرغبات
NGTD21T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD21T65F2SWK

جزء الأسهم: 28232

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 45A,

قائمة الرغبات
NGTD14T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD14T65F2WP

جزء الأسهم: 44197

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 35A,

قائمة الرغبات
FGB3040G2-F085
ON Semiconductor

FGB3040G2-F085

جزء الأسهم: 292

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.25V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
FGH75T65SHDT-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SHDT-F155

جزء الأسهم: 1512

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 455W,

قائمة الرغبات
FGA4060ADF
ON Semiconductor

FGA4060ADF

جزء الأسهم: 25775

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 238W,

قائمة الرغبات
NGTB60N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB60N65FL2WG

جزء الأسهم: 6189

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 595W,

قائمة الرغبات
NGTB50N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB50N120FL2WAG

جزء الأسهم: 17317

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 536W,

قائمة الرغبات
ISL9V5045S3ST-F085
ON Semiconductor

ISL9V5045S3ST-F085

جزء الأسهم: 281

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 480V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 51A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 300W,

قائمة الرغبات
FGH60N60SFTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFTU

جزء الأسهم: 15472

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 378W,

قائمة الرغبات
FGA40S65SH
ON Semiconductor

FGA40S65SH

جزء الأسهم: 28712

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.81V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 268W,

قائمة الرغبات
NGTB40N120S3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120S3WG

جزء الأسهم: 11383

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 454W,

قائمة الرغبات
FGH40T120SMD
ON Semiconductor

FGH40T120SMD

جزء الأسهم: 16633

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 555W,

قائمة الرغبات
NGTB10N60FG
ON Semiconductor

NGTB10N60FG

جزء الأسهم: 60662

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 72A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 40W,

قائمة الرغبات
HGTG20N60B3
ON Semiconductor

HGTG20N60B3

جزء الأسهم: 20869

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 165W,

قائمة الرغبات
FGH40T65SPD-F085
ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F085

جزء الأسهم: 2980

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 267W,

قائمة الرغبات
NGTD30T120F2SWK
ON Semiconductor

NGTD30T120F2SWK

جزء الأسهم: 18661

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

قائمة الرغبات
FGH60N60SFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU-F085

جزء الأسهم: 2947

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 378W,

قائمة الرغبات
FGH60N60UFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH60N60UFDTU-F085

جزء الأسهم: 2221

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 298W,

قائمة الرغبات
FGA30N120FTDTU
ON Semiconductor

FGA30N120FTDTU

جزء الأسهم: 10979

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 339W,

قائمة الرغبات
FGA15S125P
ON Semiconductor

FGA15S125P

جزء الأسهم: 64311

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1250V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.72V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 136W,

قائمة الرغبات
ISL9V3040D3ST
ON Semiconductor

ISL9V3040D3ST

جزء الأسهم: 110742

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
HGTP7N60A4
ON Semiconductor

HGTP7N60A4

جزء الأسهم: 63084

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 34A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
FGA25S125P-SN00337
ON Semiconductor

FGA25S125P-SN00337

جزء الأسهم: 2956

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1250V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.35V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
NGTD30T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD30T120F2WP

جزء الأسهم: 18869

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

قائمة الرغبات
NGTB15N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB15N135IHRWG

جزء الأسهم: 24545

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1350V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.65V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 357W,

قائمة الرغبات
NGTB75N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB75N65FL2WG

جزء الأسهم: 9489

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 595W,

قائمة الرغبات
NGTG40N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG40N120FL2WG

جزء الأسهم: 11911

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 535W,

قائمة الرغبات
NGTB15N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB15N120IHRWG

جزء الأسهم: 26893

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 333W,

قائمة الرغبات
ISL9V2540S3ST
ON Semiconductor

ISL9V2540S3ST

جزء الأسهم: 61457

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15.5A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 166.7W,

قائمة الرغبات