Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

FGH40T65SPD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F155

جزء الأسهم: 21639

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 267W,

قائمة الرغبات
HGT1S20N60C3S9A
ON Semiconductor

HGT1S20N60C3S9A

جزء الأسهم: 28379

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 164W,

قائمة الرغبات
FGA120N30DTU
ON Semiconductor

FGA120N30DTU

جزء الأسهم: 6590

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
MGB15N40CLT4
ON Semiconductor

MGB15N40CLT4

جزء الأسهم: 6607

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 4V, 25A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
NGD8201NT4
ON Semiconductor

NGD8201NT4

جزء الأسهم: 6663

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
SGW10N60RUFDTM
ON Semiconductor

SGW10N60RUFDTM

جزء الأسهم: 6657

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 75W,

قائمة الرغبات
NGTB40N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60FL2WG

جزء الأسهم: 18740

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 366W,

قائمة الرغبات
SGP6N60UFDTU
ON Semiconductor

SGP6N60UFDTU

جزء الأسهم: 6631

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 30W,

قائمة الرغبات
FGD3N60UNDF
ON Semiconductor

FGD3N60UNDF

جزء الأسهم: 191602

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 9A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.52V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
FGB5N60UNDF
ON Semiconductor

FGB5N60UNDF

جزء الأسهم: 65502

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 15A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 73.5W,

قائمة الرغبات
SGH40N60UFDTU
ON Semiconductor

SGH40N60UFDTU

جزء الأسهم: 6629

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 160W,

قائمة الرغبات
SGH30N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGH30N60RUFDTU

جزء الأسهم: 24034

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 48A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 235W,

قائمة الرغبات
NGD15N41CLT4
ON Semiconductor

NGD15N41CLT4

جزء الأسهم: 6594

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 107W,

قائمة الرغبات
FGH40N6S2D
ON Semiconductor

FGH40N6S2D

جزء الأسهم: 6580

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
SGR2N60UFDTF
ON Semiconductor

SGR2N60UFDTF

جزء الأسهم: 6586

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2.4A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 10A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A, أقصى القوة: 25W,

قائمة الرغبات
FGH50N6S2
ON Semiconductor

FGH50N6S2

جزء الأسهم: 6596

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 463W,

قائمة الرغبات
NGB15N41CLT4
ON Semiconductor

NGB15N41CLT4

جزء الأسهم: 6619

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 107W,

قائمة الرغبات
HGTG12N60A4
ON Semiconductor

HGTG12N60A4

جزء الأسهم: 6638

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 54A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
NGB8207NT4G
ON Semiconductor

NGB8207NT4G

جزء الأسهم: 6633

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 365V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 4V, 20A, أقصى القوة: 165W,

قائمة الرغبات
FGH75T65UPD-F085
ON Semiconductor

FGH75T65UPD-F085

جزء الأسهم: 6499

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 375W,

قائمة الرغبات
NGTB25N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL2WAG

جزء الأسهم: 20398

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 385W,

قائمة الرغبات
FGPF70N30TTU
ON Semiconductor

FGPF70N30TTU

جزء الأسهم: 5753

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 49.2W,

قائمة الرغبات
FGH75T65SQDT-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SQDT-F155

جزء الأسهم: 6523

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 375W,

قائمة الرغبات
FGB20N6S2
ON Semiconductor

FGB20N6S2

جزء الأسهم: 6597

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 28A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
SGU20N40LTU
ON Semiconductor

SGU20N40LTU

جزء الأسهم: 6633

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 8V @ 4.5V, 150A, أقصى القوة: 45W,

قائمة الرغبات
FGA6530WDF
ON Semiconductor

FGA6530WDF

جزء الأسهم: 31311

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 176W,

قائمة الرغبات
FGB40N6S2T
ON Semiconductor

FGB40N6S2T

جزء الأسهم: 6656

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
NGB8206NT4
ON Semiconductor

NGB8206NT4

جزء الأسهم: 6645

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
SGR6N60UFTM
ON Semiconductor

SGR6N60UFTM

جزء الأسهم: 5700

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 30W,

قائمة الرغبات
FGA5065ADF
ON Semiconductor

FGA5065ADF

جزء الأسهم: 20873

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 268W,

قائمة الرغبات
FGH40T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SHD-F155

جزء الأسهم: 5732

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 268W,

قائمة الرغبات
NGP15N41CL
ON Semiconductor

NGP15N41CL

جزء الأسهم: 6595

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 107W,

قائمة الرغبات
FGH40T65SH-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SH-F155

جزء الأسهم: 6513

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 268W,

قائمة الرغبات
FGY100T65SCDT
ON Semiconductor

FGY100T65SCDT

جزء الأسهم: 6572

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 750W,

قائمة الرغبات
FGA70N30TTU
ON Semiconductor

FGA70N30TTU

جزء الأسهم: 6635

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 201W,

قائمة الرغبات
SGF23N60UFTU
ON Semiconductor

SGF23N60UFTU

جزء الأسهم: 41664

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 75W,

قائمة الرغبات