Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

FGPF70N30
ON Semiconductor

FGPF70N30

جزء الأسهم: 6627

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 52W,

قائمة الرغبات
FGL60N100DTU
ON Semiconductor

FGL60N100DTU

جزء الأسهم: 6636

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 176W,

قائمة الرغبات
SGL160N60UFTU
ON Semiconductor

SGL160N60UFTU

جزء الأسهم: 6609

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 80A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
HGTD7N60C3S9A
ON Semiconductor

HGTD7N60C3S9A

جزء الأسهم: 83863

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
FGH40T100SMD-F155
ON Semiconductor

FGH40T100SMD-F155

جزء الأسهم: 6492

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 333W,

قائمة الرغبات
SGS5N150UFTU
ON Semiconductor

SGS5N150UFTU

جزء الأسهم: 6606

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 5.5V @ 10V, 5A, أقصى القوة: 50W,

قائمة الرغبات
ISL9V5036S3
ON Semiconductor

ISL9V5036S3

جزء الأسهم: 6566

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 46A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
FGH40N60SMDF-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SMDF-F085

جزء الأسهم: 6523

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 349W,

قائمة الرغبات
FGH20N60SFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH20N60SFDTU-F085

جزء الأسهم: 6509

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 165W,

قائمة الرغبات
HGTP5N120BND
ON Semiconductor

HGTP5N120BND

جزء الأسهم: 45627

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
FGH40N6S2
ON Semiconductor

FGH40N6S2

جزء الأسهم: 6617

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
NGD8205NT4
ON Semiconductor

NGD8205NT4

جزء الأسهم: 6618

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
HGT1S20N60A4S9A
ON Semiconductor

HGT1S20N60A4S9A

جزء الأسهم: 6666

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 280A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
FGA90N30TU
ON Semiconductor

FGA90N30TU

جزء الأسهم: 6686

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 219W,

قائمة الرغبات
ISL9V5045S3S
ON Semiconductor

ISL9V5045S3S

جزء الأسهم: 6684

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 480V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 51A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 300W,

قائمة الرغبات
SGR6N60UFTF
ON Semiconductor

SGR6N60UFTF

جزء الأسهم: 6669

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 30W,

قائمة الرغبات
FGA3060ADF
ON Semiconductor

FGA3060ADF

جزء الأسهم: 31254

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 176W,

قائمة الرغبات
SGL60N90DG3TU
ON Semiconductor

SGL60N90DG3TU

جزء الأسهم: 6641

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 180W,

قائمة الرغبات
FGA90N30DTU
ON Semiconductor

FGA90N30DTU

جزء الأسهم: 6674

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 219W,

قائمة الرغبات
SGP13N60UFTU
ON Semiconductor

SGP13N60UFTU

جزء الأسهم: 6622

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 52A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
FGPF7N60RUFDTU
ON Semiconductor

FGPF7N60RUFDTU

جزء الأسهم: 6643

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 41W,

قائمة الرغبات
FGP40N6S2
ON Semiconductor

FGP40N6S2

جزء الأسهم: 6659

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
ISL9V2040D3S
ON Semiconductor

ISL9V2040D3S

جزء الأسهم: 6610

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 130W,

قائمة الرغبات
ISL9V5036P3
ON Semiconductor

ISL9V5036P3

جزء الأسهم: 6635

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 46A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
SGW23N60UFDTM
ON Semiconductor

SGW23N60UFDTM

جزء الأسهم: 6589

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
NGB8206NTF4
ON Semiconductor

NGB8206NTF4

جزء الأسهم: 6680

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
NGB8206NG
ON Semiconductor

NGB8206NG

جزء الأسهم: 6606

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
ISL9V3036D3S
ON Semiconductor

ISL9V3036D3S

جزء الأسهم: 6603

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 360V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
NGTB75N60SWG
ON Semiconductor

NGTB75N60SWG

جزء الأسهم: 15095

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 595W,

قائمة الرغبات
SGR20N40LTM
ON Semiconductor

SGR20N40LTM

جزء الأسهم: 6669

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 8V @ 4.5V, 150A, أقصى القوة: 45W,

قائمة الرغبات
NGTB50N60SWG
ON Semiconductor

NGTB50N60SWG

جزء الأسهم: 17923

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
FGH75T65UPD-F155
ON Semiconductor

FGH75T65UPD-F155

جزء الأسهم: 6545

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 375W,

قائمة الرغبات
SGH10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGH10N60RUFDTU

جزء الأسهم: 26397

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 75W,

قائمة الرغبات
MGP15N40CL
ON Semiconductor

MGP15N40CL

جزء الأسهم: 6624

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 4V, 25A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
SGH15N60RUFTU
ON Semiconductor

SGH15N60RUFTU

جزء الأسهم: 6609

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 24A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 160W,

قائمة الرغبات
FGB30N6S2DT
ON Semiconductor

FGB30N6S2DT

جزء الأسهم: 6629

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 108A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات