Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

SGP13N60UFDTU
ON Semiconductor

SGP13N60UFDTU

جزء الأسهم: 63743

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 52A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
FGA20S125P-SN00336
ON Semiconductor

FGA20S125P-SN00336

جزء الأسهم: 5611

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1250V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
FGH75T65UPD
ON Semiconductor

FGH75T65UPD

جزء الأسهم: 18330

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 375W,

قائمة الرغبات
FGH75T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SHD-F155

جزء الأسهم: 6521

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 455W,

قائمة الرغبات
SGF5N150UFTU
ON Semiconductor

SGF5N150UFTU

جزء الأسهم: 6621

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 5.5V @ 10V, 5A, أقصى القوة: 62.5W,

قائمة الرغبات