Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

SGP15N60RUFTU
ON Semiconductor

SGP15N60RUFTU

جزء الأسهم: 6613

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 24A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 160W,

قائمة الرغبات
HGT1S2N120CN
ON Semiconductor

HGT1S2N120CN

جزء الأسهم: 6626

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A, أقصى القوة: 104W,

قائمة الرغبات
SGW5N60RUFDTM
ON Semiconductor

SGW5N60RUFDTM

جزء الأسهم: 6618

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 15A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
FGH30N6S2D
ON Semiconductor

FGH30N6S2D

جزء الأسهم: 6658

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 108A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
FGH60N6S2
ON Semiconductor

FGH60N6S2

جزء الأسهم: 6576

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 320A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 625W,

قائمة الرغبات
FGA40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGA40N60UFDTU

جزء الأسهم: 6565

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 160W,

قائمة الرغبات
ISL9V3036P3
ON Semiconductor

ISL9V3036P3

جزء الأسهم: 6611

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 360V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
FGPF30N45TTU
ON Semiconductor

FGPF30N45TTU

جزء الأسهم: 6685

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 50.4W,

قائمة الرغبات
FGPF50N30TTU
ON Semiconductor

FGPF50N30TTU

جزء الأسهم: 58620

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 46.8W,

قائمة الرغبات
NGTB03N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB03N60R2DT4G

جزء الأسهم: 145587

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 9A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 12A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 49W,

قائمة الرغبات
FGH75N60SFTU
ON Semiconductor

FGH75N60SFTU

جزء الأسهم: 13647

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 452W,

قائمة الرغبات
HGTP3N60A4D
ON Semiconductor

HGTP3N60A4D

جزء الأسهم: 51983

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 17A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 70W,

قائمة الرغبات
HGTP2N120CN
ON Semiconductor

HGTP2N120CN

جزء الأسهم: 6659

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A, أقصى القوة: 104W,

قائمة الرغبات
ISL9V3040D3S
ON Semiconductor

ISL9V3040D3S

جزء الأسهم: 6572

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
FGH20N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH20N60UFDTU

جزء الأسهم: 25749

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 165W,

قائمة الرغبات
HGTP7N60A4-F102
ON Semiconductor

HGTP7N60A4-F102

جزء الأسهم: 5646

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 34A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
FGA25N120ANTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTU

جزء الأسهم: 6592

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 310W,

قائمة الرغبات
SGS23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGS23N60UFDTU

جزء الأسهم: 79708

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 73W,

قائمة الرغبات
NGB18N40CLBT4G
ON Semiconductor

NGB18N40CLBT4G

جزء الأسهم: 6651

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 18A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 4V, 15A, أقصى القوة: 115W,

قائمة الرغبات
HGTP7N60B3D
ON Semiconductor

HGTP7N60B3D

جزء الأسهم: 6665

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
SGP5N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGP5N60RUFDTU

جزء الأسهم: 6608

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 15A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
SGH15N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGH15N60RUFDTU

جزء الأسهم: 6670

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 24A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 160W,

قائمة الرغبات
SGS13N60UFDTU
ON Semiconductor

SGS13N60UFDTU

جزء الأسهم: 6606

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 52A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, أقصى القوة: 45W,

قائمة الرغبات
HGTG11N120CN
ON Semiconductor

HGTG11N120CN

جزء الأسهم: 5731

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 43A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 11A, أقصى القوة: 298W,

قائمة الرغبات
FGPF30N30
ON Semiconductor

FGPF30N30

جزء الأسهم: 6691

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 46W,

قائمة الرغبات
SGP40N60UFTU
ON Semiconductor

SGP40N60UFTU

جزء الأسهم: 6599

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 160W,

قائمة الرغبات
SGL60N90DG3YDTU
ON Semiconductor

SGL60N90DG3YDTU

جزء الأسهم: 6595

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 180W,

قائمة الرغبات
SGH40N60UFDM1TU
ON Semiconductor

SGH40N60UFDM1TU

جزء الأسهم: 6671

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 160W,

قائمة الرغبات
HGT1S14N36G3VLT
ON Semiconductor

HGT1S14N36G3VLT

جزء الأسهم: 6664

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 5V, 14A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
SGL5N150UFTU
ON Semiconductor

SGL5N150UFTU

جزء الأسهم: 6598

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 5.5V @ 10V, 5A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
FGA50S110P
ON Semiconductor

FGA50S110P

جزء الأسهم: 34365

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1100V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 300W,

قائمة الرغبات
HGTG7N60A4D
ON Semiconductor

HGTG7N60A4D

جزء الأسهم: 36176

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 34A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
SGS6N60UFDTU
ON Semiconductor

SGS6N60UFDTU

جزء الأسهم: 6665

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 22W,

قائمة الرغبات
FGPF30N30DTU
ON Semiconductor

FGPF30N30DTU

جزء الأسهم: 5752

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 46W,

قائمة الرغبات
ISL9V2540S3S
ON Semiconductor

ISL9V2540S3S

جزء الأسهم: 6626

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15.5A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 166.7W,

قائمة الرغبات
NGB8202NT4
ON Semiconductor

NGB8202NT4

جزء الأسهم: 6645

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات