الترانزستورات - JFETs

2SK3666-2-TB-E

جزء الأسهم: 158873

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 10mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA,

2N5460

جزء الأسهم: 3448

نوع FET: P-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA,

2SK932-22-TB-E

جزء الأسهم: 109722

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 15V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7.3mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 50mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK2394-6-TB-E

جزء الأسهم: 173212

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 15V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 50mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 300mV @ 100µA,

2SK3666-3-TB-E

جزء الأسهم: 199601

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 10mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK932-23-TB-E

جزء الأسهم: 187928

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 15V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 50mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK2394-7-TB-E

جزء الأسهم: 111814

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 15V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 16mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 50mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 300mV @ 100µA,

2SK545-11D-TB-E

جزء الأسهم: 155340

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60µA @ 10V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 1mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 1.5V @ 1µA,

2SK932-24-TB-E

جزء الأسهم: 189339

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 15V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 14.5mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 50mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK715V

جزء الأسهم: 3479

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 15V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 50mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA,

2N5457_D74Z

جزء الأسهم: 3416

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 25V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA,

2SK2394-7-FRD-TB-E

جزء الأسهم: 3439

2SK3796-3-TL-E

جزء الأسهم: 3463

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 10mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK3738-TL-E

جزء الأسهم: 3415

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 10V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 1mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 2.3V @ 1µA,

2SK596S-A

جزء الأسهم: 3481

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 1mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA,

2SK596S-C

جزء الأسهم: 3473

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 1mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA,

2SK3796-2-TL-E

جزء الأسهم: 3405

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 10mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK3796-4-TL-E

جزء الأسهم: 3426

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 10V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 10mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK3666-4-TB-E

جزء الأسهم: 101963

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 30V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 10V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 10mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK715W-AC

جزء الأسهم: 3406

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 15V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 14.5mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 50mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA,

2SK715U-AC

جزء الأسهم: 3469

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 15V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7.3mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 50mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA,

2SK715V-AC

جزء الأسهم: 3461

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 15V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 50mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA,

2SK715W

جزء الأسهم: 3372

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 15V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 14.5mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 50mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA,

2SK715U

جزء الأسهم: 3435

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 15V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7.3mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 50mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA,

2SK596S-B

جزء الأسهم: 3432

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 1mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA,

2SK771-5-TB-E

جزء الأسهم: 3380

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 10V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 20mA,

2N5639

جزء الأسهم: 3367

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 35V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,

2N5462

جزء الأسهم: 3362

نوع FET: P-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA,

2N5639RLRAG

جزء الأسهم: 3393

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 35V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,

2N5639G

جزء الأسهم: 3405

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 35V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,

2N5638RLRA

جزء الأسهم: 3378

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 35V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,

2N5638RLRAG

جزء الأسهم: 3376

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 35V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,

2N5461RLRAG

جزء الأسهم: 3406

نوع FET: P-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA,

2N5462G

جزء الأسهم: 3431

نوع FET: P-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA,

2N5461RLRA

جزء الأسهم: 3385

نوع FET: P-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA,

2N5639_D75Z

جزء الأسهم: 3364

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,