Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

1HP04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HP04CH-TL-W

جزء الأسهم: 100908

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 Ohm @ 80mA, 10V,

قائمة الرغبات
1HN04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HN04CH-TL-W

جزء الأسهم: 117115

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 270mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 140mA, 10V,

قائمة الرغبات
2N7000-D75Z
ON Semiconductor

2N7000-D75Z

جزء الأسهم: 99

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4094-1E
ON Semiconductor

2SK4094-1E

جزء الأسهم: 20693

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
2SJ661-1E
ON Semiconductor

2SJ661-1E

جزء الأسهم: 57846

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK3746-1E
ON Semiconductor

2SK3746-1E

جزء الأسهم: 15517

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK3703-1E
ON Semiconductor

2SK3703-1E

جزء الأسهم: 40945

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
2SJ652-1E
ON Semiconductor

2SJ652-1E

جزء الأسهم: 33065

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK3745LS-1E
ON Semiconductor

2SK3745LS-1E

جزء الأسهم: 18892

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK3747-1E
ON Semiconductor

2SK3747-1E

جزء الأسهم: 15610

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4177-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4177-DL-1E

جزء الأسهم: 30646

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
2SJ661-DL-1E
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1E

جزء الأسهم: 57287

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات
2N7000BU_T
ON Semiconductor

2N7000BU_T

جزء الأسهم: 2253

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4066-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1EX

جزء الأسهم: 2250

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4065-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1EX

جزء الأسهم: 2210

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
2SJ661-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-1EX

جزء الأسهم: 2203

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V,

قائمة الرغبات
2SJ652-1EX
ON Semiconductor

2SJ652-1EX

جزء الأسهم: 2120

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V,

قائمة الرغبات
2SK3816-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1EX

جزء الأسهم: 2164

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V,

قائمة الرغبات
2SK3703-1EX
ON Semiconductor

2SK3703-1EX

جزء الأسهم: 2124

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V,

قائمة الرغبات
2SJ661-DL-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1EX

جزء الأسهم: 2140

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4125-1EX
ON Semiconductor

2SK4125-1EX

جزء الأسهم: 2103

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4098FS
ON Semiconductor

2SK4098FS

جزء الأسهم: 2085

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4125-1E
ON Semiconductor

2SK4125-1E

جزء الأسهم: 6248

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK536-MTK-TB-E
ON Semiconductor

2SK536-MTK-TB-E

جزء الأسهم: 198740

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V,

قائمة الرغبات
2SK4099LS-1E
ON Semiconductor

2SK4099LS-1E

جزء الأسهم: 1876

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4124-1E
ON Semiconductor

2SK4124-1E

جزء الأسهم: 6267

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4087LS-1E
ON Semiconductor

2SK4087LS-1E

جزء الأسهم: 1869

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4088LS-1E
ON Semiconductor

2SK4088LS-1E

جزء الأسهم: 1874

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4066-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1E

جزء الأسهم: 1810

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4085LS-1E
ON Semiconductor

2SK4085LS-1E

جزء الأسهم: 1812

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4066-1E
ON Semiconductor

2SK4066-1E

جزء الأسهم: 1849

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK3820-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3820-DL-1E

جزء الأسهم: 1839

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK4065-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1E

جزء الأسهم: 1813

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK3748-1E
ON Semiconductor

2SK3748-1E

جزء الأسهم: 10717

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK3816-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1E

جزء الأسهم: 1843

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
2N7002WST1G
ON Semiconductor

2N7002WST1G

جزء الأسهم: 1836

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V,

قائمة الرغبات