Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

2N5064RLRMG
ON Semiconductor

2N5064RLRMG

جزء الأسهم: 7685

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5060RLRMG
ON Semiconductor

2N5060RLRMG

جزء الأسهم: 7656

الجهد - خارج الدولة: 30V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N6509T
ON Semiconductor

2N6509T

جزء الأسهم: 7661

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
2N6401
ON Semiconductor

2N6401

جزء الأسهم: 4823

الجهد - خارج الدولة: 100V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
2N6400
ON Semiconductor

2N6400

جزء الأسهم: 7723

الجهد - خارج الدولة: 50V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
2N6394
ON Semiconductor

2N6394

جزء الأسهم: 7735

الجهد - خارج الدولة: 50V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.2V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
2N5064RLRM
ON Semiconductor

2N5064RLRM

جزء الأسهم: 7735

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5062G
ON Semiconductor

2N5062G

جزء الأسهم: 7644

الجهد - خارج الدولة: 100V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5060RLRM
ON Semiconductor

2N5060RLRM

جزء الأسهم: 7686

الجهد - خارج الدولة: 30V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5060RLRAG
ON Semiconductor

2N5060RLRAG

جزء الأسهم: 7692

الجهد - خارج الدولة: 30V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5064G
ON Semiconductor

2N5064G

جزء الأسهم: 7694

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5061G
ON Semiconductor

2N5061G

جزء الأسهم: 7617

الجهد - خارج الدولة: 60V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5064RLRAG
ON Semiconductor

2N5064RLRAG

جزء الأسهم: 7644

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5060G
ON Semiconductor

2N5060G

جزء الأسهم: 4808

الجهد - خارج الدولة: 30V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5061RLRAG
ON Semiconductor

2N5061RLRAG

جزء الأسهم: 7622

الجهد - خارج الدولة: 60V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5062RLRAG
ON Semiconductor

2N5062RLRAG

جزء الأسهم: 7629

الجهد - خارج الدولة: 100V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5062RLRA
ON Semiconductor

2N5062RLRA

جزء الأسهم: 4782

الجهد - خارج الدولة: 100V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5064RLRA
ON Semiconductor

2N5064RLRA

جزء الأسهم: 7597

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
2N5061RLRA
ON Semiconductor

2N5061RLRA

جزء الأسهم: 7659

الجهد - خارج الدولة: 60V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
C122F1
ON Semiconductor

C122F1

جزء الأسهم: 7726

الجهد - خارج الدولة: 50V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.83V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
MCR12LDG
ON Semiconductor

MCR12LDG

جزء الأسهم: 7633

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 8mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.6A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
MCR68-002
ON Semiconductor

MCR68-002

جزء الأسهم: 7675

الجهد - خارج الدولة: 50V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
MCR8SM
ON Semiconductor

MCR8SM

جزء الأسهم: 7641

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
MCR22-8G
ON Semiconductor

MCR22-8G

جزء الأسهم: 7721

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.5A,

قائمة الرغبات
MCR12DSMT4
ON Semiconductor

MCR12DSMT4

جزء الأسهم: 7684

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.9V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.6A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
MCR100-6RL
ON Semiconductor

MCR100-6RL

جزء الأسهم: 7666

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
MCR12DSN-001
ON Semiconductor

MCR12DSN-001

جزء الأسهم: 7596

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.9V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.6A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
MCR22-6RLRA
ON Semiconductor

MCR22-6RLRA

جزء الأسهم: 7626

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.5A,

قائمة الرغبات
NCR169DG
ON Semiconductor

NCR169DG

جزء الأسهم: 7646

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
NYC008-6JG
ON Semiconductor

NYC008-6JG

جزء الأسهم: 4837

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
MCR100-4G
ON Semiconductor

MCR100-4G

جزء الأسهم: 7672

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
MCR100-4RLRMG
ON Semiconductor

MCR100-4RLRMG

جزء الأسهم: 7729

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
MCR8DCMT4
ON Semiconductor

MCR8DCMT4

جزء الأسهم: 7693

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5.1A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
MCR708A1
ON Semiconductor

MCR708A1

جزء الأسهم: 7698

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 75µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1.6A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

قائمة الرغبات
MCR218-002
ON Semiconductor

MCR218-002

جزء الأسهم: 7713

الجهد - خارج الدولة: 50V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
MCR100-004
ON Semiconductor

MCR100-004

جزء الأسهم: 4793

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات