Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

MCR12DCNT4
ON Semiconductor

MCR12DCNT4

جزء الأسهم: 7630

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.9V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
MCR08MT1
ON Semiconductor

MCR08MT1

جزء الأسهم: 4808

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
MCR22-2RL1G
ON Semiconductor

MCR22-2RL1G

جزء الأسهم: 7680

الجهد - خارج الدولة: 50V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.5A,

قائمة الرغبات
MCR22-6RLRP
ON Semiconductor

MCR22-6RLRP

جزء الأسهم: 7657

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.5A,

قائمة الرغبات
MCR72-6T
ON Semiconductor

MCR72-6T

جزء الأسهم: 7593

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
MCR12LMG
ON Semiconductor

MCR12LMG

جزء الأسهم: 7541

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 8mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.6A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
MCR100-6RLG
ON Semiconductor

MCR100-6RLG

جزء الأسهم: 7591

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
MCR8DSMT4
ON Semiconductor

MCR8DSMT4

جزء الأسهم: 7588

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5.1A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
MCR22-8RL1G
ON Semiconductor

MCR22-8RL1G

جزء الأسهم: 7546

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.5A,

قائمة الرغبات
MCR12LD
ON Semiconductor

MCR12LD

جزء الأسهم: 7523

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 8mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.6A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
MCR12LM
ON Semiconductor

MCR12LM

جزء الأسهم: 7600

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 8mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.6A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
MCR100-6ZL1G
ON Semiconductor

MCR100-6ZL1G

جزء الأسهم: 7552

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات