Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

NGTB50N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N65FL2WG

جزء الأسهم: 14687

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 417W,

قائمة الرغبات
NGTB50N60FWG
ON Semiconductor

NGTB50N60FWG

جزء الأسهم: 11089

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 223W,

قائمة الرغبات
HGT1S10N120BNST
ON Semiconductor

HGT1S10N120BNST

جزء الأسهم: 31860

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 35A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 298W,

قائمة الرغبات
NGTD14T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD14T65F2SWK

جزء الأسهم: 43676

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 35A,

قائمة الرغبات
FGA25N120ANTDTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

جزء الأسهم: 13542

نوع IGBT: NPT and Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.65V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 312W,

قائمة الرغبات
FGH30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGH30N60LSDTU

جزء الأسهم: 7369

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 480W,

قائمة الرغبات
FGH75T65SHDTL4
ON Semiconductor

FGH75T65SHDTL4

جزء الأسهم: 12151

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 455W,

قائمة الرغبات
NGTD28T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD28T65F2SWK

جزء الأسهم: 20638

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
FGD3N60LSDTM
ON Semiconductor

FGD3N60LSDTM

جزء الأسهم: 144068

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 10V, 3A, أقصى القوة: 40W,

قائمة الرغبات
NGTB40N120L3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120L3WG

جزء الأسهم: 12509

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 454W,

قائمة الرغبات
FGH75N60UFTU
ON Semiconductor

FGH75N60UFTU

جزء الأسهم: 10416

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 452W,

قائمة الرغبات
FGH25N120FTDS
ON Semiconductor

FGH25N120FTDS

جزء الأسهم: 9325

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 313W,

قائمة الرغبات
NGTB40N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N135IHRWG

جزء الأسهم: 17791

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1350V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 394W,

قائمة الرغبات
FGA15N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA15N120ANTDTU-F109

جزء الأسهم: 402

نوع IGBT: NPT and Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 186W,

قائمة الرغبات
NGTD28T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD28T65F2WP

جزء الأسهم: 20854

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
FGH60N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU

جزء الأسهم: 22935

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 378W,

قائمة الرغبات
FGD3325G2-F085
ON Semiconductor

FGD3325G2-F085

جزء الأسهم: 256

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 250V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.25V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor

NGTB15N60R2FG

جزء الأسهم: 62700

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 24A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 54W,

قائمة الرغبات
NGTD17T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD17T65F2WP

جزء الأسهم: 37370

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A,

قائمة الرغبات
NGTB40N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65FL2WG

جزء الأسهم: 18097

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 366W,

قائمة الرغبات
FGH60T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SQD-F155

جزء الأسهم: 2512

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 333W,

قائمة الرغبات
FGA6560WDF
ON Semiconductor

FGA6560WDF

جزء الأسهم: 18136

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 306W,

قائمة الرغبات
FGH12040WD-F155
ON Semiconductor

FGH12040WD-F155

جزء الأسهم: 2672

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 428W,

قائمة الرغبات
FGH40T100SMD
ON Semiconductor

FGH40T100SMD

جزء الأسهم: 13786

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 333W,

قائمة الرغبات
FGA20S140P
ON Semiconductor

FGA20S140P

جزء الأسهم: 26339

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1400V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 272W,

قائمة الرغبات
FGA25N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU-F109

جزء الأسهم: 1477

نوع IGBT: NPT and Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.65V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 312W,

قائمة الرغبات
NGTB30N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHRWG

جزء الأسهم: 18543

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1350V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.65V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 394W,

قائمة الرغبات
FGH30S150P
ON Semiconductor

FGH30S150P

جزء الأسهم: 11394

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 500W,

قائمة الرغبات
FGA60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGA60N60UFDTU

جزء الأسهم: 16438

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 298W,

قائمة الرغبات
NGTB30N135IHR1WG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHR1WG

جزء الأسهم: 14704

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1350V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 394W,

قائمة الرغبات
ISL9V2040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040S3ST

جزء الأسهم: 63148

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 130W,

قائمة الرغبات
FGH30T65UPDT-F155
ON Semiconductor

FGH30T65UPDT-F155

جزء الأسهم: 2946

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
FGH40N65UFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU-F085

جزء الأسهم: 2948

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
HGTG12N60A4D
ON Semiconductor

HGTG12N60A4D

جزء الأسهم: 27784

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 54A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
NGTB40N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WAG

جزء الأسهم: 18131

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 536W,

قائمة الرغبات
FGL60N100BNTD
ON Semiconductor

FGL60N100BNTD

جزء الأسهم: 11528

نوع IGBT: NPT and Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 180W,

قائمة الرغبات