Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

NGTG30N60FWG
ON Semiconductor

NGTG30N60FWG

جزء الأسهم: 17306

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
NGTB05N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB05N60R2DT4G

جزء الأسهم: 169827

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 56W,

قائمة الرغبات
NGTB20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTB20N60L2TF1G

جزء الأسهم: 33843

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.65V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 64W,

قائمة الرغبات
NGTB30N60IHLWG
ON Semiconductor

NGTB30N60IHLWG

جزء الأسهم: 22110

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
FGH40T65SQD_F155
ON Semiconductor

FGH40T65SQD_F155

جزء الأسهم: 6871

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 238W,

قائمة الرغبات
TIG074E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG074E8-TL-H

جزء الأسهم: 104319

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 5.4V @ 2.5V, 100A,

قائمة الرغبات
FGD3N60LSDTM-T
ON Semiconductor

FGD3N60LSDTM-T

جزء الأسهم: 6852

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 10V, 3A, أقصى القوة: 40W,

قائمة الرغبات
HGTP20N60A4
ON Semiconductor

HGTP20N60A4

جزء الأسهم: 36974

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 280A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
SGP10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGP10N60RUFDTU

جزء الأسهم: 74706

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 75W,

قائمة الرغبات
NGTB15N120IHWG
ON Semiconductor

NGTB15N120IHWG

جزء الأسهم: 6811

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 278W,

قائمة الرغبات
NGP15N41CLG
ON Semiconductor

NGP15N41CLG

جزء الأسهم: 6854

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 107W,

قائمة الرغبات
NGTG15N60S1EG
ON Semiconductor

NGTG15N60S1EG

جزء الأسهم: 51621

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 117W,

قائمة الرغبات
NGTB75N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB75N60FL2WG

جزء الأسهم: 9734

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 595W,

قائمة الرغبات
NGB8204NT4
ON Semiconductor

NGB8204NT4

جزء الأسهم: 6877

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 18A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 4V, 15A, أقصى القوة: 115W,

قائمة الرغبات
FGA50N60LS
ON Semiconductor

FGA50N60LS

جزء الأسهم: 6865

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 240W,

قائمة الرغبات
SGP23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGP23N60UFDTU

جزء الأسهم: 74718

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
NGTB30N120LWG
ON Semiconductor

NGTB30N120LWG

جزء الأسهم: 6791

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 560W,

قائمة الرغبات
FGH80N60FD2TU
ON Semiconductor

FGH80N60FD2TU

جزء الأسهم: 15656

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
FGD4536TM_SN00306
ON Semiconductor

FGD4536TM_SN00306

جزء الأسهم: 6801

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 360V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
SGL160N60UFDTU
ON Semiconductor

SGL160N60UFDTU

جزء الأسهم: 8114

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 80A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
ISL9V5036P3-F085
ON Semiconductor

ISL9V5036P3-F085

جزء الأسهم: 5905

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 46A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
NGTB50N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N120FL2WG

جزء الأسهم: 7494

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 535W,

قائمة الرغبات
FGD4536TM
ON Semiconductor

FGD4536TM

جزء الأسهم: 6793

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 360V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
NGTB50N65S1WG
ON Semiconductor

NGTB50N65S1WG

جزء الأسهم: 30688

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 140A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 300W,

قائمة الرغبات
NGTB30N60FWG
ON Semiconductor

NGTB30N60FWG

جزء الأسهم: 5739

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
NGB8202NT4G
ON Semiconductor

NGB8202NT4G

جزء الأسهم: 6729

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
FGA70N30TDTU
ON Semiconductor

FGA70N30TDTU

جزء الأسهم: 6666

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 201W,

قائمة الرغبات
FGD2N40L
ON Semiconductor

FGD2N40L

جزء الأسهم: 6663

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 29A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 2.4V, 2.5A, أقصى القوة: 29W,

قائمة الرغبات
HGT1S20N35G3VLS
ON Semiconductor

HGT1S20N35G3VLS

جزء الأسهم: 5739

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 375V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 5V, 20A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
HGTG12N60B3
ON Semiconductor

HGTG12N60B3

جزء الأسهم: 5662

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 27A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 110A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 104W,

قائمة الرغبات
NGD18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGD18N40CLBT4

جزء الأسهم: 6608

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 4V, 15A, أقصى القوة: 115W,

قائمة الرغبات
HGTG7N60A4
ON Semiconductor

HGTG7N60A4

جزء الأسهم: 6602

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 34A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
SGL40N150DTU
ON Semiconductor

SGL40N150DTU

جزء الأسهم: 6629

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4.7V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 200W,

قائمة الرغبات
SGR2N60UFDTM
ON Semiconductor

SGR2N60UFDTM

جزء الأسهم: 6576

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2.4A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 10A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A, أقصى القوة: 25W,

قائمة الرغبات
FGD5T120SH
ON Semiconductor

FGD5T120SH

جزء الأسهم: 144045

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 12.5A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.6V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 69W,

قائمة الرغبات
FGL60N100BNTDTU
ON Semiconductor

FGL60N100BNTDTU

جزء الأسهم: 21621

نوع IGBT: NPT and Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 180W,

قائمة الرغبات