Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

HGTD3N60C3S9A
ON Semiconductor

HGTD3N60C3S9A

جزء الأسهم: 6573

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 24A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 33W,

قائمة الرغبات
FGH20N6S2
ON Semiconductor

FGH20N6S2

جزء الأسهم: 6613

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 28A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
SGH80N60UFDTU
ON Semiconductor

SGH80N60UFDTU

جزء الأسهم: 5661

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 195W,

قائمة الرغبات
FGD3440G2-F085
ON Semiconductor

FGD3440G2-F085

جزء الأسهم: 21532

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 26.9A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.2V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 166W,

قائمة الرغبات
FGP20N6S2D
ON Semiconductor

FGP20N6S2D

جزء الأسهم: 6642

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 28A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
FGA15N120FTDTU
ON Semiconductor

FGA15N120FTDTU

جزء الأسهم: 5620

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 220W,

قائمة الرغبات
HGTP10N120BN
ON Semiconductor

HGTP10N120BN

جزء الأسهم: 41051

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 35A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 298W,

قائمة الرغبات
NGB8206N
ON Semiconductor

NGB8206N

جزء الأسهم: 6636

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
FGA180N30DTU
ON Semiconductor

FGA180N30DTU

جزء الأسهم: 6662

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 180A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 450A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 480W,

قائمة الرغبات
HGT1S7N60C3DS9A
ON Semiconductor

HGT1S7N60C3DS9A

جزء الأسهم: 6594

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
HGTP12N60C3
ON Semiconductor

HGTP12N60C3

جزء الأسهم: 6644

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 24A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 104W,

قائمة الرغبات
SGS6N60UFTU
ON Semiconductor

SGS6N60UFTU

جزء الأسهم: 6598

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 22W,

قائمة الرغبات
SGR20N40LTF
ON Semiconductor

SGR20N40LTF

جزء الأسهم: 6621

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 8V @ 4.5V, 150A, أقصى القوة: 45W,

قائمة الرغبات
NGTB25N120IHLWG
ON Semiconductor

NGTB25N120IHLWG

جزء الأسهم: 24017

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 192W,

قائمة الرغبات
SGF23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGF23N60UFDTU

جزء الأسهم: 6655

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 75W,

قائمة الرغبات
FGPF120N30TU
ON Semiconductor

FGPF120N30TU

جزء الأسهم: 6635

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
FGPF90N30
ON Semiconductor

FGPF90N30

جزء الأسهم: 6597

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.55V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 56.8W,

قائمة الرغبات
SGL40N150TU
ON Semiconductor

SGL40N150TU

جزء الأسهم: 6631

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4.7V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 200W,

قائمة الرغبات
FGB30N6S2D
ON Semiconductor

FGB30N6S2D

جزء الأسهم: 6628

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 108A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
NGB18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGB18N40CLBT4

جزء الأسهم: 5727

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 18A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 4V, 15A, أقصى القوة: 115W,

قائمة الرغبات
SGR15N40LTM
ON Semiconductor

SGR15N40LTM

جزء الأسهم: 6637

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 130A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 8V @ 4.5V, 130A, أقصى القوة: 45W,

قائمة الرغبات
ISL9V3036S3S
ON Semiconductor

ISL9V3036S3S

جزء الأسهم: 6651

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 360V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
ISL9V2040P3
ON Semiconductor

ISL9V2040P3

جزء الأسهم: 6592

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 130W,

قائمة الرغبات
NGTB35N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB35N60FL2WG

جزء الأسهم: 33733

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 300W,

قائمة الرغبات
NGTB10N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB10N60R2DT4G

جزء الأسهم: 119694

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 72W,

قائمة الرغبات
FGPF30N30TTU
ON Semiconductor

FGPF30N30TTU

جزء الأسهم: 6650

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 44.6W,

قائمة الرغبات
HGT1S10N120BNS
ON Semiconductor

HGT1S10N120BNS

جزء الأسهم: 22373

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 35A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 298W,

قائمة الرغبات
FGB30N6S2T
ON Semiconductor

FGB30N6S2T

جزء الأسهم: 6578

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 108A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات
FGPF7N60LSDTU
ON Semiconductor

FGPF7N60LSDTU

جزء الأسهم: 6697

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 45W,

قائمة الرغبات
FGA90N33ATDTU
ON Semiconductor

FGA90N33ATDTU

جزء الأسهم: 196806

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 330V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 330A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 223W,

قائمة الرغبات
FGB40N60SM
ON Semiconductor

FGB40N60SM

جزء الأسهم: 32395

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 349W,

قائمة الرغبات
NGB8204NT4G
ON Semiconductor

NGB8204NT4G

جزء الأسهم: 5688

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 18A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 4V, 15A, أقصى القوة: 115W,

قائمة الرغبات
FGI3040G2-F085
ON Semiconductor

FGI3040G2-F085

جزء الأسهم: 6451

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.25V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
HGT1S14N36G3VLS
ON Semiconductor

HGT1S14N36G3VLS

جزء الأسهم: 6647

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 5V, 14A, أقصى القوة: 100W,

قائمة الرغبات
HGT1S20N36G3VL
ON Semiconductor

HGT1S20N36G3VL

جزء الأسهم: 6649

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 395V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 37.7A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 5V, 20A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
SGH80N60UFTU
ON Semiconductor

SGH80N60UFTU

جزء الأسهم: 6614

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 195W,

قائمة الرغبات