الاستشعار عن بعد: 0.157" (4mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.200" (5.08mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 40mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.050" (1.27mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.050" (1.27mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.050" (1.27mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Photodarlington,
الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 0.150" (3.81mm), طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
