Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

NGTB40N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHL2WG

جزء الأسهم: 15225

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 300W,

قائمة الرغبات
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD21T65F2WP

جزء الأسهم: 28668

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 45A,

قائمة الرغبات
FGA30S120P
ON Semiconductor

FGA30S120P

جزء الأسهم: 11061

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 348W,

قائمة الرغبات
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTG20N60L2TF1G

جزء الأسهم: 36618

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 105A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.65V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 64W,

قائمة الرغبات
FGI3236-F085
ON Semiconductor

FGI3236-F085

جزء الأسهم: 2622

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 360V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 44A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 187W,

قائمة الرغبات
ISL9V3036S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3036S3ST

جزء الأسهم: 57552

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 360V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
NGTB40N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WG

جزء الأسهم: 7703

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 535W,

قائمة الرغبات
SGS10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGS10N60RUFDTU

جزء الأسهم: 30705

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 55W,

قائمة الرغبات
FGAF40N60SMD
ON Semiconductor

FGAF40N60SMD

جزء الأسهم: 15222

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 115W,

قائمة الرغبات
FGH40N60SMD
ON Semiconductor

FGH40N60SMD

جزء الأسهم: 22404

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 349W,

قائمة الرغبات
FGH25T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH25T120SMD-F155

جزء الأسهم: 1603

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 428W,

قائمة الرغبات
HGTG30N60C3D
ON Semiconductor

HGTG30N60C3D

جزء الأسهم: 10243

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 63A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 252A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 208W,

قائمة الرغبات
NGTG25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG25N120FL2WG

جزء الأسهم: 20366

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 385W,

قائمة الرغبات
FGH15T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH15T120SMD-F155

جزء الأسهم: 2318

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 333W,

قائمة الرغبات
FGB3040CS
ON Semiconductor

FGB3040CS

جزء الأسهم: 33497

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
FGL12040WD
ON Semiconductor

FGL12040WD

جزء الأسهم: 12525

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 391W,

قائمة الرغبات
HGTP3N60A4
ON Semiconductor

HGTP3N60A4

جزء الأسهم: 56586

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 17A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 70W,

قائمة الرغبات
FGB7N60UNDF
ON Semiconductor

FGB7N60UNDF

جزء الأسهم: 54229

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 83W,

قائمة الرغبات
FGH50T65UPD
ON Semiconductor

FGH50T65UPD

جزء الأسهم: 13856

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 340W,

قائمة الرغبات
FGP3040G2-F085
ON Semiconductor

FGP3040G2-F085

جزء الأسهم: 2590

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.25V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
NGTB40N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60L2WG

جزء الأسهم: 15833

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.61V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 417W,

قائمة الرغبات
NGTB15N120FLWG
ON Semiconductor

NGTB15N120FLWG

جزء الأسهم: 17142

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 156W,

قائمة الرغبات
NGTG15N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG15N120FL2WG

جزء الأسهم: 24869

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 294W,

قائمة الرغبات
HGTG12N60C3D
ON Semiconductor

HGTG12N60C3D

جزء الأسهم: 11041

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 24A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 104W,

قائمة الرغبات
NGTB20N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N135IHRWG

جزء الأسهم: 14414

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1350V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.65V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 394W,

قائمة الرغبات
FGP5N60LS
ON Semiconductor

FGP5N60LS

جزء الأسهم: 82176

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 36A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 12V, 14A, أقصى القوة: 83W,

قائمة الرغبات
FGY40T120SMD
ON Semiconductor

FGY40T120SMD

جزء الأسهم: 8802

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 882W,

قائمة الرغبات
NGTD13T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD13T65F2WP

جزء الأسهم: 44207

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات
NGTB25N120FL3WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL3WG

جزء الأسهم: 15023

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 349W,

قائمة الرغبات
NGTD23T120F2SWK
ON Semiconductor

NGTD23T120F2SWK

جزء الأسهم: 24513

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات
NGTB30N120L2WG
ON Semiconductor

NGTB30N120L2WG

جزء الأسهم: 9261

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 534W,

قائمة الرغبات
FGH80N60FDTU
ON Semiconductor

FGH80N60FDTU

جزء الأسهم: 17028

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات
NGTB40N65IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRWG

جزء الأسهم: 35282

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 405W,

قائمة الرغبات
FGH40N60SMD-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SMD-F085

جزء الأسهم: 2954

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 349W,

قائمة الرغبات
FGH40T70SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T70SHD-F155

جزء الأسهم: 2540

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.15V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 268W,

قائمة الرغبات
HGTG18N120BN
ON Semiconductor

HGTG18N120BN

جزء الأسهم: 11952

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 54A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 165A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 18A, أقصى القوة: 390W,

قائمة الرغبات