الترانزستورات - IGBTs - وحدات

Microsemi Corporation

APTGT150H170G

جزء الأسهم: 495

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 250A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT400A120G

جزء الأسهم: 537

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 560A, أقصى القوة: 1785W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTCV40H60CT1G

جزء الأسهم: 1640

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTCV60HM45RT3G

Microsemi Corporation

APTCV60HM45RT3G

جزء الأسهم: 1446

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT300DA170G

جزء الأسهم: 722

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 1660W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT75TDU60PG

جزء الأسهم: 925

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Triple, Dual - Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT200H120G

جزء الأسهم: 464

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 280A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGLQ100A120T3AG

Microsemi Corporation

APTGLQ100A120T3AG

جزء الأسهم: 797

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 185A, أقصى القوة: 650W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT50DDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGT50DDA120T3G

جزء الأسهم: 1762

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT100A120T3AG

Microsemi Corporation

APTGT100A120T3AG

جزء الأسهم: 1206

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 595W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT75GT120JU3

جزء الأسهم: 2982

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGL180A120T3AG

Microsemi Corporation

APTGL180A120T3AG

جزء الأسهم: 1144

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 230A, أقصى القوة: 940W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGL40H120T1G

جزء الأسهم: 1697

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 220W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTCV50H60T3G

جزء الأسهم: 1553

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT300A60D3G

جزء الأسهم: 831

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 940W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGLQ100A120TG

Microsemi Corporation

APTGLQ100A120TG

جزء الأسهم: 251

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 170A, أقصى القوة: 520W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT300TL60G

جزء الأسهم: 570

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 935W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGL325A120D3G

Microsemi Corporation

APTGL325A120D3G

جزء الأسهم: 634

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 420A, أقصى القوة: 1500W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGLQ50VDA65T3G

Microsemi Corporation

APTGLQ50VDA65T3G

جزء الأسهم: 314

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 175W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGLQ50DDA65T3G

Microsemi Corporation

APTGLQ50DDA65T3G

جزء الأسهم: 232

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 175W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT600A60G

جزء الأسهم: 452

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700A, أقصى القوة: 2300W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT20TL601G

جزء الأسهم: 2340

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, أقصى القوة: 62W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT150TA60PG

جزء الأسهم: 689

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT35A120T1G

جزء الأسهم: 2393

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 208W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT450SK60G

جزء الأسهم: 807

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 550A, أقصى القوة: 1750W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT150TL60G

جزء الأسهم: 901

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT400SK120G

جزء الأسهم: 766

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 560A, أقصى القوة: 1785W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGL40X120T3G

جزء الأسهم: 1371

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 220W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT40GL120JU2

جزء الأسهم: 3667

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 220W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT150DH170G

جزء الأسهم: 707

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 250A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT150DH120G

جزء الأسهم: 790

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 690W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT50TDU170PG

Microsemi Corporation

APTGT50TDU170PG

جزء الأسهم: 697

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Triple, Dual - Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 310W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT35GT120JU2

جزء الأسهم: 3790

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 260W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50A170TG

جزء الأسهم: 1356

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT100BB60T3G

Microsemi Corporation

APTGT100BB60T3G

جزء الأسهم: 1239

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT300A120D3G

Microsemi Corporation

APTGT300A120D3G

جزء الأسهم: 570

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 440A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

2333

«
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
»