الترانزستورات - IGBTs - وحدات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 65

APTGLQ50TL65T3G

جزء الأسهم: 238

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 175W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGL700DA120D3G

جزء الأسهم: 596

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 840A, أقصى القوة: 3000W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT150H60TG

جزء الأسهم: 1078

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT100DH60TG

جزء الأسهم: 1515

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50TA60PG

جزء الأسهم: 1144

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGTQ100DDA65T3G

جزء الأسهم: 320

إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50DH120TG

جزء الأسهم: 1402

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT300A120G

جزء الأسهم: 588

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 420A, أقصى القوة: 1380W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT150DH60TG

جزء الأسهم: 1369

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT400DA120G

جزء الأسهم: 762

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 560A, أقصى القوة: 1785W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT100A170TG

جزء الأسهم: 1066

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 560W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT300SK120G

جزء الأسهم: 816

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 420A, أقصى القوة: 1380W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGLQ80HR120CT3G

جزء الأسهم: 1034

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 500W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 80A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGL475DA120D3G

جزء الأسهم: 763

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 610A, أقصى القوة: 2080W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT100SK170TG

جزء الأسهم: 1414

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 560W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT100TL60T3G

جزء الأسهم: 1115

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT35GT120JU3

جزء الأسهم: 3761

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 260W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGLQ600A65T6G

جزء الأسهم: 512

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1200A, أقصى القوة: 2000W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT225SK170G

جزء الأسهم: 816

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 340A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT200A120D3G

جزء الأسهم: 726

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300A, أقصى القوة: 1040W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT150DA60T1G

جزء الأسهم: 2480

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGLQ300SK120G

جزء الأسهم: 249

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500A, أقصى القوة: 1500W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.42V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT100H120G

جزء الأسهم: 718

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT300DA170D3G

جزء الأسهم: 767

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 530A, أقصى القوة: 1470W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGL90DA120T1G

جزء الأسهم: 2308

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 385W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGLQ400A120T6G

جزء الأسهم: 452

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700A, أقصى القوة: 1900W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 400A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T1G

جزء الأسهم: 261

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 175W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50H60RT3G

جزء الأسهم: 1712

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGL90H120T3G

جزء الأسهم: 1107

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 385W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT400DU120G

جزء الأسهم: 445

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 560A, أقصى القوة: 1785W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT75DU120TG

جزء الأسهم: 1368

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 350W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGL120TA120TPG

جزء الأسهم: 398

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 517W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT200SK120G

جزء الأسهم: 970

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 280A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGL120TDU120TPG

جزء الأسهم: 524

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Triple, Dual - Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 517W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT150A60T3AG

جزء الأسهم: 1382

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 600W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGL60TL120T3G

جزء الأسهم: 1437

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 280W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات