الترانزستورات - IGBTs - وحدات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 65

APTGT50TL601G

جزء الأسهم: 1364

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT100DU170TG

جزء الأسهم: 857

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 560W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT100GT120JU3

جزء الأسهم: 2103

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGL180A1202G

جزء الأسهم: 876

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 750W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT200TL60G

جزء الأسهم: 424

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300A, أقصى القوة: 652W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF150DU120TG

جزء الأسهم: 79

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 961W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT300SK60D3G

جزء الأسهم: 713

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 940W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT400A60D3G

جزء الأسهم: 530

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT300A60TG

جزء الأسهم: 697

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 430A, أقصى القوة: 935W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT300A170G

جزء الأسهم: 353

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 1660W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50X60T3G

جزء الأسهم: 1363

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT75GT120JRDQ3

جزء الأسهم: 1870

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 97A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT50GF60JU2

جزء الأسهم: 3168

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT150GT120JR

جزء الأسهم: 1450

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 170A, أقصى القوة: 830W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT75GT120JU2

جزء الأسهم: 2315

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT65GP60J

جزء الأسهم: 2051

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 130A, أقصى القوة: 431W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 65A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT35GP120J

جزء الأسهم: 1978

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 64A, أقصى القوة: 284W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT75TL60T3G

جزء الأسهم: 1060

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT600U120D4G

جزء الأسهم: 398

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 900A, أقصى القوة: 2500W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT70GR120JD60

جزء الأسهم: 1895

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 112A, أقصى القوة: 543W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT100H60T3G

جزء الأسهم: 1009

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50H60T3G

جزء الأسهم: 1227

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50SK170T1G

جزء الأسهم: 1368

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT45GP120J

جزء الأسهم: 2085

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 329W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT46GA90JD40

جزء الأسهم: 2422

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 87A, أقصى القوة: 284W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.1V @ 15V, 47A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT80GP60J

جزء الأسهم: 1872

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 151A, أقصى القوة: 462W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 80A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT600U170D4G

جزء الأسهم: 424

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1100A, أقصى القوة: 2900W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT150GN120J

جزء الأسهم: 1837

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 215A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

A1P35S12M3

جزء الأسهم: 99

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 35A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

A2C35S12M3

جزء الأسهم: 105

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter with Brake, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 35A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

A2C25S12M3

جزء الأسهم: 36

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter with Brake, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, أقصى القوة: 197W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

A1P25S12M3

جزء الأسهم: 116

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, أقصى القوة: 197W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

A1C15S12M3-F

جزء الأسهم: 143

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter with Brake, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, أقصى القوة: 142.8W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 15A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

A2C25S12M3-F

جزء الأسهم: 92

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter with Brake, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, أقصى القوة: 197W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

A2C35S12M3-F

جزء الأسهم: 132

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter with Brake, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 35A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

A1P25S12M3-F

جزء الأسهم: 182

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, أقصى القوة: 197W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات