Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - مفصل قابل للبرمجة

2N6027
Central Semiconductor Corp

2N6027

جزء الأسهم: 76016

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 6V, الجهد - الإزاحة (Vt): 1.6V, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 50µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6028
Central Semiconductor Corp

2N6028

جزء الأسهم: 75982

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 6V, الجهد - الإزاحة (Vt): 600mV, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 25µA,

إلى قائمة الأمنيات
CMPP6028 TR
Central Semiconductor Corp

CMPP6028 TR

جزء الأسهم: 54052

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 167mW, الجهد - الإخراج: 6V, الجهد - الإزاحة (Vt): 600mV, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 25µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

جزء الأسهم: 2509

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 11V, الجهد - الإزاحة (Vt): 600mV, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 25µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

جزء الأسهم: 2537

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 11V, الجهد - الإزاحة (Vt): 600mV, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 25µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

جزء الأسهم: 2538

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 11V, الجهد - الإزاحة (Vt): 1.6V, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 50µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

جزء الأسهم: 2531

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 11V, الجهد - الإزاحة (Vt): 600mV, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 25µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

جزء الأسهم: 2482

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 11V, الجهد - الإزاحة (Vt): 1.6V, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 50µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

جزء الأسهم: 2534

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 11V, الجهد - الإزاحة (Vt): 600mV, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 25µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

جزء الأسهم: 2493

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 11V, الجهد - الإزاحة (Vt): 1.6V, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 50µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

جزء الأسهم: 2505

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 11V, الجهد - الإزاحة (Vt): 600mV, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 25µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

جزء الأسهم: 2518

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 11V, الجهد - الإزاحة (Vt): 1.6V, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 50µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

جزء الأسهم: 2522

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 11V, الجهد - الإزاحة (Vt): 600mV, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 25µA,

إلى قائمة الأمنيات
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

جزء الأسهم: 2457

الجهد االكهربى: 40V, تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 300mW, الجهد - الإخراج: 11V, الجهد - الإزاحة (Vt): 1.6V, التيار - بوابة تسرب الأنود (إيغاو): 10nA, الحالي - الوادي (الرابع): 50µA,

إلى قائمة الأمنيات