Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

92-0235
Infineon Technologies

92-0235

جزء الأسهم: 6584

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.75V @ 5V, 14A, أقصى القوة: 125W,

إلى قائمة الأمنيات
92-0065
Infineon Technologies

92-0065

جزء الأسهم: 6576

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 31A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRGS30B60KTRL
Infineon Technologies

AUIRGS30B60KTRL

جزء الأسهم: 26291

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 78A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.35V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 370W,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRG4BC30USTRL
Infineon Technologies

AUIRG4BC30USTRL

جزء الأسهم: 36699

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRG4BC30SSTRL
Infineon Technologies

AUIRG4BC30SSTRL

جزء الأسهم: 36716

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 34A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 68A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 18A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRGS4062D1TRL
Infineon Technologies

AUIRGS4062D1TRL

جزء الأسهم: 18059

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 59A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 72A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.77V @ 15V, 24A, أقصى القوة: 246W,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRGPS4070D0
Infineon Technologies

AUIRGPS4070D0

جزء الأسهم: 10054

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 240A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 360A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 120A, أقصى القوة: 750W,

إلى قائمة الأمنيات
AIKW50N65DH5XKSA1
Infineon Technologies

AIKW50N65DH5XKSA1

جزء الأسهم: 13988

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 270W,

إلى قائمة الأمنيات
APT85GR120L
Microsemi Corporation

APT85GR120L

جزء الأسهم: 4352

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 170A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 340A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 85A, أقصى القوة: 962W,

إلى قائمة الأمنيات
APT64GA90B2D30
Microsemi Corporation

APT64GA90B2D30

جزء الأسهم: 5459

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 117A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 193A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.1V @ 15V, 38A, أقصى القوة: 500W,

إلى قائمة الأمنيات
APT25GR120S
Microsemi Corporation

APT25GR120S

جزء الأسهم: 8706

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 521W,

إلى قائمة الأمنيات
APT35GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT35GP120B2DQ2G

جزء الأسهم: 3425

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 96A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 140A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 543W,

إلى قائمة الأمنيات
APT30GP60BG
Microsemi Corporation

APT30GP60BG

جزء الأسهم: 6877

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 463W,

إلى قائمة الأمنيات
APT25GN120BG
Microsemi Corporation

APT25GN120BG

جزء الأسهم: 9003

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 67A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 272W,

إلى قائمة الأمنيات
APT50GR120B2
Microsemi Corporation

APT50GR120B2

جزء الأسهم: 6076

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 117A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 694W,

إلى قائمة الأمنيات
APT50GT120B2RDLG
Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDLG

جزء الأسهم: 3743

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 106A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 694W,

إلى قائمة الأمنيات
APT80GA60B
Microsemi Corporation

APT80GA60B

جزء الأسهم: 6029

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 143A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 47A, أقصى القوة: 625W,

إلى قائمة الأمنيات
APT36GA60BD15
Microsemi Corporation

APT36GA60BD15

جزء الأسهم: 8494

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 109A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

إلى قائمة الأمنيات
APT40GR120B2D30
Microsemi Corporation

APT40GR120B2D30

جزء الأسهم: 5976

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 88A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 500W,

إلى قائمة الأمنيات
APT70GR120B2
Microsemi Corporation

APT70GR120B2

جزء الأسهم: 5872

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 280A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 961W,

إلى قائمة الأمنيات
APT70GR120L
Microsemi Corporation

APT70GR120L

جزء الأسهم: 5006

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 280A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 961W,

إلى قائمة الأمنيات
APT70GR65B
Microsemi Corporation

APT70GR65B

جزء الأسهم: 9503

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 134A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 260A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 595W,

إلى قائمة الأمنيات
APT40GR120S
Microsemi Corporation

APT40GR120S

جزء الأسهم: 6836

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 88A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 500W,

إلى قائمة الأمنيات
APT50GN120B2G
Microsemi Corporation

APT50GN120B2G

جزء الأسهم: 6219

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 134A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 543W,

إلى قائمة الأمنيات
APT35GP120BG
Microsemi Corporation

APT35GP120BG

جزء الأسهم: 4037

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 96A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 140A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 543W,

إلى قائمة الأمنيات
APT50GR120L
Microsemi Corporation

APT50GR120L

جزء الأسهم: 7440

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 117A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 694W,

إلى قائمة الأمنيات
APT25GP120BG
Microsemi Corporation

APT25GP120BG

جزء الأسهم: 6960

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 69A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 417W,

إلى قائمة الأمنيات
APT13GP120BG
Microsemi Corporation

APT13GP120BG

جزء الأسهم: 10841

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 13A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات
APT68GA60B
Microsemi Corporation

APT68GA60B

جزء الأسهم: 7230

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 121A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 202A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 520W,

إلى قائمة الأمنيات
APT35GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation

APT35GN120L2DQ2G

جزء الأسهم: 5728

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 94A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 105A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 379W,

إلى قائمة الأمنيات
APT15GT60BRG
Microsemi Corporation

APT15GT60BRG

جزء الأسهم: 17440

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 42A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 184W,

إلى قائمة الأمنيات
APT50GS60BRDLG
Microsemi Corporation

APT50GS60BRDLG

جزء الأسهم: 7256

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 93A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 195A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.15V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 415W,

إلى قائمة الأمنيات
APT100GN60B2G
Microsemi Corporation

APT100GN60B2G

جزء الأسهم: 6392

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 229A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 625W,

إلى قائمة الأمنيات
APT30GT60BRG
Microsemi Corporation

APT30GT60BRG

جزء الأسهم: 10467

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 64A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 110A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات
AOK20B120E1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK20B120E1

جزء الأسهم: 20878

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 333W,

إلى قائمة الأمنيات
AOK20B135D1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK20B135D1

جزء الأسهم: 18224

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1350V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 340W,

إلى قائمة الأمنيات