الترانزستورات - JFETs

2SK3666-2-TB-E

جزء الأسهم: 158873

نوع FET: N-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 10mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA,

2N5116JTXL02

جزء الأسهم: 945

2N5116JTX02

جزء الأسهم: 1019

2N5116JTVL02

جزء الأسهم: 724

2N4392

جزء الأسهم: 3873

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA,

2N4859

جزء الأسهم: 1419

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 30V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 10V @ 500pA,

2N4860

جزء الأسهم: 1372

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 30V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4092UB

جزء الأسهم: 1695

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

2N4860UB

جزء الأسهم: 1005

2N5115UB

جزء الأسهم: 1497

نوع FET: P-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 30V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 6V @ 1nA,

2N4857

جزء الأسهم: 1371

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4392UB

جزء الأسهم: 2522

2N2609

جزء الأسهم: 256

نوع FET: P-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 5V, الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: 10mA, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 750mV @ 1A,

2N4091UB

جزء الأسهم: 1561

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V,

2N4092

جزء الأسهم: 2296

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

2N4858

جزء الأسهم: 1388

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA,

2N4859UB

جزء الأسهم: 1010

2N4857UB

جزء الأسهم: 1002

2N4391

جزء الأسهم: 66304

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA,

2N4856

جزء الأسهم: 1393

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 10V @ 500pA,

2N4393UB

جزء الأسهم: 2593

2N4858UB

جزء الأسهم: 1010

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V,

2N3821

جزء الأسهم: 2866

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 50V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA,

2N4091

جزء الأسهم: 2228

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V,

2N3823

جزء الأسهم: 2889

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 30V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 8V @ 500pA,

2N5114

جزء الأسهم: 2096

نوع FET: P-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 30V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 90mA @ 18V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 10V @ 1nA,

2N5115

جزء الأسهم: 2081

نوع FET: P-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 30V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 6V @ 1nA,

2N4391UB

جزء الأسهم: 2556

2N4093UB

جزء الأسهم: 1735

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 40V, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V,

2N4856UB

جزء الأسهم: 1030

2SK879-Y(TE85L,F)

جزء الأسهم: 198791

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK2145-GR(TE85L,F

جزء الأسهم: 405

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA,

2SK879-GR(TE85L,F)

جزء الأسهم: 389

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK208-O(TE85L,F)

جزء الأسهم: 342

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK208-GR(TE85L,F)

جزء الأسهم: 340

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK2145-Y(TE85L,F)

جزء الأسهم: 123563

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA,