الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 83

IXYS-RF

150-101N09A-00

جزء الأسهم: 2609

نوع الترانزستور: N-Channel, التصويت الحالي: 9A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS-RF

150-501N04A-00

جزء الأسهم: 2589

نوع الترانزستور: N-Channel, التصويت الحالي: 4.5A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS-RF

150-201N09A-00

جزء الأسهم: 3417

نوع الترانزستور: N-Channel, التصويت الحالي: 9A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS-RF

150-102N02A-00

جزء الأسهم: 2261

نوع الترانزستور: N-Channel, التصويت الحالي: 2A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS-RF

275-201N25A-00

جزء الأسهم: 1378

نوع الترانزستور: N-Channel, التصويت الحالي: 25A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS-RF

275X2-501N16A-00

جزء الأسهم: 2046

نوع الترانزستور: 2 N-Channel (Dual), التصويت الحالي: 16A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS-RF

275X2-102N06A-00

جزء الأسهم: 2039

نوع الترانزستور: 2 N-Channel (Dual), التصويت الحالي: 8A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS-RF

275-101N30A-00

جزء الأسهم: 1808

نوع الترانزستور: N-Channel, التصويت الحالي: 30A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS-RF

275-102N06A-00

جزء الأسهم: 3066

نوع الترانزستور: N-Channel, التصويت الحالي: 8A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS-RF

275-501N16A-00

جزء الأسهم: 3128

نوع الترانزستور: N-Channel, التصويت الحالي: 16A,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK3557-6-TB-E

جزء الأسهم: 134271

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, تكرر: 1kHz, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 50mA, الرقم الضوضاء: 1dB,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5484_D74Z

جزء الأسهم: 4650

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, تكرر: 400MHz, الجهد - اختبار: 15V, التصويت الحالي: 5mA, الرقم الضوضاء: 4dB,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK3737-5-TL-E

جزء الأسهم: 6221

نوع الترانزستور: N-Channel, ربح: 35dB, الجهد - اختبار: 10V, التصويت الحالي: 12mA, الرقم الضوضاء: 2dB,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5952_J35Z

جزء الأسهم: 6192

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, تكرر: 1kHz, الجهد - اختبار: 15V, التصويت الحالي: 8mA, الرقم الضوضاء: 2dB,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5953_J35Z

جزء الأسهم: 4633

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, تكرر: 1kHz, الجهد - اختبار: 15V, التصويت الحالي: 5mA, الرقم الضوضاء: 2dB,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5951_J35Z

جزء الأسهم: 6173

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, تكرر: 1kHz, الجهد - اختبار: 15V, التصويت الحالي: 13mA, الرقم الضوضاء: 2dB,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5247_J35Z

جزء الأسهم: 6197

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, تكرر: 400MHz, الرقم الضوضاء: 4dB,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5246_J35Z

جزء الأسهم: 6123

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, التصويت الحالي: 7mA,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5245_J35Z

جزء الأسهم: 6116

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, التصويت الحالي: 15mA,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N3819

جزء الأسهم: 6095

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, التصويت الحالي: 100mA,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5486RLRPG

جزء الأسهم: 6157

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, التصويت الحالي: 30mA,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5952_D74Z

جزء الأسهم: 6087

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, تكرر: 1kHz, الجهد - اختبار: 15V, التصويت الحالي: 8mA, الرقم الضوضاء: 2dB,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5950_J18Z

جزء الأسهم: 6128

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, التصويت الحالي: 15mA,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5555_D74Z

جزء الأسهم: 6135

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, التصويت الحالي: 15mA,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5950

جزء الأسهم: 6111

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, التصويت الحالي: 15mA,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N5247

جزء الأسهم: 6095

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, تكرر: 400MHz, الرقم الضوضاء: 4dB,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3079ATE12LQ

جزء الأسهم: 25011

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 470MHz, ربح: 13.5dB, الجهد - اختبار: 4.5V, التصويت الحالي: 3A,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3756(TE12L,F)

جزء الأسهم: 38838

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 470MHz, ربح: 12dB, الجهد - اختبار: 4.5V, التصويت الحالي: 1A,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3475TE12LF

جزء الأسهم: 28639

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 520MHz, ربح: 14.9dB, الجهد - اختبار: 7.2V, التصويت الحالي: 1A,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4037(TE12L,Q)

جزء الأسهم: 22269

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 470MHz, ربح: 11.5dB, الجهد - اختبار: 6V, التصويت الحالي: 3A,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK209-BL(TE85L,F)

جزء الأسهم: 9945

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, تكرر: 1kHz, الجهد - اختبار: 10V, الرقم الضوضاء: 1dB,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK209-Y(TE85L,F)

جزء الأسهم: 150111

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, تكرر: 1kHz, الجهد - اختبار: 10V, الرقم الضوضاء: 1dB,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3476(TE12L,Q)

جزء الأسهم: 6228

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 520MHz, ربح: 11.4dB, الجهد - اختبار: 7.2V, التصويت الحالي: 3A,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3078A(TE12L,F)

جزء الأسهم: 6184

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 470MHz, ربح: 8dB, الجهد - اختبار: 4.5V, التصويت الحالي: 500mA,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3074TE12LF

جزء الأسهم: 6224

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 520MHz, ربح: 14.9dB, الجهد - اختبار: 9.6V, التصويت الحالي: 1A,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3075(TE12L,Q)

جزء الأسهم: 9920

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 520MHz, ربح: 11.7dB, الجهد - اختبار: 9.6V, التصويت الحالي: 5A,

إلى قائمة الأمنيات