الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

15C01C-TB-E

جزء الأسهم: 132125

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 10mA, 2V,

12A02CH-TL-E

جزء الأسهم: 166577

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 240mV @ 20mA, 400mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 10mA, 2V,

15C02MH-TL-E

جزء الأسهم: 190997

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 280mV @ 20mA, 400mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 50mA, 2V,

12A02MH-TL-E

جزء الأسهم: 102598

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 240mV @ 20mA, 400mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 10mA, 2V,

15C02CH-TL-E

جزء الأسهم: 144964

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 280mV @ 20mA, 400mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 50mA, 2V,

15C01SS-TL-E

جزء الأسهم: 155356

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 10mA, 2V,

15C01M-TL-E

جزء الأسهم: 140846

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 10mA, 2V,

2N5038G

جزء الأسهم: 7620

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 90V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 5A, 20A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 12A, 5V,

2N6341G

جزء الأسهم: 6139

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 150V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 10A, 2V,

2N5684G

جزء الأسهم: 7987

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 5V @ 10A, 50A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 25A, 2V,

2SB1202T-E

جزء الأسهم: 150433

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 100mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

2SB817C-1E

جزء الأسهم: 24451

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 140V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1A, 5V,

2N5883G

جزء الأسهم: 17760

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 6.25A, 25A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 10A, 4V,

2SC5658M3T5G

جزء الأسهم: 165547

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

2SC5706-TL-E

جزء الأسهم: 193807

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 240mV @ 100mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

2SB815-7-TB-E

جزء الأسهم: 148429

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 50mA, 2V,

2N4403TF

جزء الأسهم: 165392

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

2SD1623S-TD-E

جزء الأسهم: 167700

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 50mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 2V,

2SC3646S-TD-E

جزء الأسهم: 157334

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 5V,

2SC4027S-TL-H

جزء الأسهم: 134234

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 160V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 140 @ 100mA, 5V,

2SA1417S-TD-E

جزء الأسهم: 124066

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 5V,

2SC3647S-TD-E

جزء الأسهم: 188767

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 5V,

2SA1943N(S1,E,S)

جزء الأسهم: 30936

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 230V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 800mA, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 5µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 1A, 5V,

2SA08790Q

جزء الأسهم: 104961

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 200V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 5mA, 10V,

2SD16450R

جزء الأسهم: 72556

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8000 @ 1A, 10V,

2SB08730R

جزء الأسهم: 141895

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 100mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2A, 2V,

2SB08730Q

جزء الأسهم: 141804

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 100mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2A, 2V,

2SC39390RA

جزء الأسهم: 112087

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 150mA, 10V,

2SA1096AQ

جزء الأسهم: 126403

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 150mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 1A, 5V,

2N4449UB

جزء الأسهم: 2992

نوع الترانزستور: NPN, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 400nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 100mA, 1V,

2N327A

جزء الأسهم: 37

2N5001

جزء الأسهم: 88

2N5885

جزء الأسهم: 10509

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 6.25A, 25A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 10A, 4V,

2SC4102T106R

جزء الأسهم: 122102

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 6V,

2SB1561T100Q

جزء الأسهم: 164630

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 50mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 500mA, 2V,

2SB1733TL

جزء الأسهم: 178752

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 270 @ 100mA, 2V,