نوع الترانزستور: E-pHEMT, تكرر: 2GHz, ربح: 15.5dB, الجهد - اختبار: 4.5V, التصويت الحالي: 1A, الرقم الضوضاء: 1.1dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 900MHz, ربح: 17.2dB, الجهد - اختبار: 4V, التصويت الحالي: 300mA, الرقم الضوضاء: 0.8dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 12GHz, ربح: 12dB, الجهد - اختبار: 1.5V, التصويت الحالي: 45mA, الرقم الضوضاء: 0.5dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 4GHz, ربح: 15.8dB, الجهد - اختبار: 2V, التصويت الحالي: 40mA, الرقم الضوضاء: 0.6dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 2GHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 4.5V, التصويت الحالي: 500mA, الرقم الضوضاء: 1.5dB,
نوع الترانزستور: E-pHEMT, تكرر: 2GHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 4.5V, التصويت الحالي: 1A, الرقم الضوضاء: 1dB,
نوع الترانزستور: E-pHEMT, تكرر: 2GHz, ربح: 14.8dB, الجهد - اختبار: 4.5V, التصويت الحالي: 1A, الرقم الضوضاء: 1.4dB,
نوع الترانزستور: E-pHEMT, تكرر: 2GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 4.5V, التصويت الحالي: 500mA, الرقم الضوضاء: 1.5dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 2GHz, ربح: 17.5dB, الجهد - اختبار: 4V, التصويت الحالي: 145mA, الرقم الضوضاء: 0.5dB,
نوع الترانزستور: E-pHEMT, تكرر: 2GHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 4V, التصويت الحالي: 300mA, الرقم الضوضاء: 0.6dB,
نوع الترانزستور: E-pHEMT, تكرر: 2GHz, ربح: 17.7dB, الجهد - اختبار: 2.7V, التصويت الحالي: 100mA, الرقم الضوضاء: 0.6dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 2GHz, ربح: 17.5dB, الجهد - اختبار: 2.7V, التصويت الحالي: 100mA, الرقم الضوضاء: 0.5dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 2GHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 4V, التصويت الحالي: 305mA, الرقم الضوضاء: 0.6dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 2GHz, ربح: 16.6dB, الجهد - اختبار: 3V, التصويت الحالي: 120mA, الرقم الضوضاء: 0.5dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 2GHz, ربح: 17.5dB, الجهد - اختبار: 3V, التصويت الحالي: 120mA, الرقم الضوضاء: 0.5dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 2GHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 4V, التصويت الحالي: 305mA, الرقم الضوضاء: 0.5dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 2GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 2V, التصويت الحالي: 80mA, الرقم الضوضاء: 0.4dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 2GHz, ربح: 16.5dB, الجهد - اختبار: 3V, التصويت الحالي: 100mA, الرقم الضوضاء: 0.5dB,
نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 2GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 2V, التصويت الحالي: 145mA, الرقم الضوضاء: 0.4dB,
نوع الترانزستور: E-pHEMT, تكرر: 900MHz, ربح: 17.2dB, الجهد - اختبار: 4V, التصويت الحالي: 300mA, الرقم الضوضاء: 0.8dB,
نوع الترانزستور: E-pHEMT, تكرر: 2GHz, ربح: 17.5dB, الجهد - اختبار: 3V, التصويت الحالي: 120mA, الرقم الضوضاء: 0.5dB,
