الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 89

IGW30N60TFKSA1

جزء الأسهم: 73

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.05V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 187W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4PSH71KDPBF

جزء الأسهم: 5770

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 78A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 156A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 42A, أقصى القوة: 350W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKW08T120FKSA1

جزء الأسهم: 24496

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 24A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 70W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGC70T120T8RL

جزء الأسهم: 81

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.07V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG8CH76K10F

جزء الأسهم: 6238

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG7PH50UPBF

جزء الأسهم: 5900

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 556W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGC07T120T8LX1SA2

جزء الأسهم: 101

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 12A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.02V @ 15V, 4A,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGC4062B

جزء الأسهم: 15052

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 24A,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGC18T120T8LX1SA2

جزء الأسهم: 132

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.07V @ 15V, 15A,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGC4059B

جزء الأسهم: 44683

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGC50T120T8RQX1SA1

جزء الأسهم: 131

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.42V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG7CH30K10EF

جزء الأسهم: 24252

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.56V @ 15V, 10A,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGC4064B

جزء الأسهم: 27318

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGPL6NC60DI

جزء الأسهم: 84926

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 56W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW40NC60WD

جزء الأسهم: 15942

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 230A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGB20N45LZAG

جزء الأسهم: 198

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.25V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGB25N40LZAG

جزء الأسهم: 153

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 435V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.25V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGB20N40LZ

جزء الأسهم: 60129

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW35HF60WD

جزء الأسهم: 17970

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW30NC120HD

جزء الأسهم: 20257

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.75V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 220W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW30H60DFB

جزء الأسهم: 19929

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGPL6NC60D

جزء الأسهم: 86441

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 56W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW80V60DF

جزء الأسهم: 10311

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 80A, أقصى القوة: 469W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGP3HF60HD

جزء الأسهم: 193837

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7.5A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A, أقصى القوة: 38W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW30NC60VD

جزء الأسهم: 27195

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGB8NC60KDT4

جزء الأسهم: 116244

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.75V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 65W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBK75N170A

جزء الأسهم: 1613

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 6V @ 15V, 42A, أقصى القوة: 1040W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGL75N250

جزء الأسهم: 852

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 2500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 580A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 430W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBT32N300HV

جزء الأسهم: 1825

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 3000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 280A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 32A, أقصى القوة: 400W,

إلى قائمة الأمنيات

Sanken

MGD623S

جزء الأسهم: 29104

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH60D7DPK-00#T0

جزء الأسهم: 11820

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH60F6BDPQ-A0#T0

جزء الأسهم: 12320

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 85A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.75V @ 15V, 45A, أقصى القوة: 297.6W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH60F6DPK-00#T0

جزء الأسهم: 10028

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 85A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.75V @ 15V, 45A, أقصى القوة: 297.6W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH75T65SHDTL4

جزء الأسهم: 12151

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 455W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTD28T65F2SWK

جزء الأسهم: 20638

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65GVC11

جزء الأسهم: 164

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 33A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 76W,

إلى قائمة الأمنيات