الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 89

IGB30N60H3ATMA1

جزء الأسهم: 50561

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 187W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IHW20N65R5XKSA1

جزء الأسهم: 22265

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKD06N60RATMA1

جزء الأسهم: 126290

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 6A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKP20N60H3XKSA1

جزء الأسهم: 356

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 170W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4PC50FPBF

جزء الأسهم: 11920

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 280A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 39A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKW40N65F5FKSA1

جزء الأسهم: 17251

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 74A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 255W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKW50N60H3FKSA1

جزء الأسهم: 12383

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 333W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBX75N170A

جزء الأسهم: 1608

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 6V @ 15V, 42A, أقصى القوة: 1040W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGT10N170A

جزء الأسهم: 10729

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 6V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 140W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH40N65B3D1

جزء الأسهم: 192

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 86A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 195A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH82N120C3

جزء الأسهم: 4777

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 380A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 82A, أقصى القوة: 1250W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBT20N360HV

جزء الأسهم: 1811

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 3600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 430W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGX400N30A3

جزء الأسهم: 4549

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 1200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.15V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 1000W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXLF19N250A

جزء الأسهم: 1827

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 2500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 19A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH24N120C3

جزء الأسهم: 13062

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 48A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4.2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH60N60C3D1

جزء الأسهم: 10447

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 380W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBH10N170

جزء الأسهم: 8566

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.8V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 140W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBT16N170A

جزء الأسهم: 5088

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 6V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGP40V60F

جزء الأسهم: 25437

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 283W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW15H120DF2

جزء الأسهم: 11730

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 259W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGB30V60DF

جزء الأسهم: 36583

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 258W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGF10H60DF

جزء الأسهم: 85738

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 30W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWA40M120DF3

جزء الأسهم: 6517

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 468W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGP15H60DF

جزء الأسهم: 69818

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 115W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW60H65F

جزء الأسهم: 8585

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 360W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGF3NC120HD

جزء الأسهم: 41161

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 25W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGF5H60DF

جزء الأسهم: 52755

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 24W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGA6560WDF

جزء الأسهم: 18136

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 306W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH12040WD-F155

جزء الأسهم: 2672

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 428W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH40T100SMD

جزء الأسهم: 13786

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 333W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGA20S140P

جزء الأسهم: 26339

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1400V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 272W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU-F109

جزء الأسهم: 1477

نوع IGBT: NPT and Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.65V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 312W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTB30N135IHRWG

جزء الأسهم: 18543

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1350V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.65V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 394W,

إلى قائمة الأمنيات

Rohm Semiconductor

RGTH00TS65GC11

جزء الأسهم: 17733

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 85A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 277W,

إلى قائمة الأمنيات

Rohm Semiconductor

RGTH50TS65GC11

جزء الأسهم: 23036

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 174W,

إلى قائمة الأمنيات

Rohm Semiconductor

RGTV00TK65GVC11

جزء الأسهم: 2933

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 94W,

إلى قائمة الأمنيات