الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 89

HGTG12N60A4D

جزء الأسهم: 27784

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 54A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 167W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WAG

جزء الأسهم: 18131

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 536W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGL60N100BNTD

جزء الأسهم: 11528

نوع IGBT: NPT and Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 180W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGA6540WDF

جزء الأسهم: 25417

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 238W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTB40N120IHRWG

جزء الأسهم: 14109

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.55V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 384W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

HGTG5N120BND

جزء الأسهم: 23888

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 167W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH50N3

جزء الأسهم: 11903

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 463W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGP10N60UNDF

جزء الأسهم: 36448

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 139W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTB35N65FL2WG

جزء الأسهم: 33687

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGAF40N60UFTU

جزء الأسهم: 35991

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXDH30N120

جزء الأسهم: 7675

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 76A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH36N60A3

جزء الأسهم: 18818

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 220W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH24N170C

جزء الأسهم: 5981

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 58A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 145A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.8V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 500W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXXH30N65B4D1

جزء الأسهم: 184

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 146A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 230W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH40N65C3

جزء الأسهم: 12531

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXXX160N65B4

جزء الأسهم: 4909

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 310A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 860A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 160A, أقصى القوة: 940W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGP36N60A3

جزء الأسهم: 201

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 220W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGK400N30C3

جزء الأسهم: 4487

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBT42N170A

جزء الأسهم: 3768

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 42A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 265A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 6V @ 15V, 21A, أقصى القوة: 357W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYP15N65C3D1M

جزء الأسهم: 26987

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 48W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH36N60A3D4

جزء الأسهم: 18931

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 220W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGR60N60C3C1

جزء الأسهم: 2682

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 260A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 170W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH20N65C3

جزء الأسهم: 25576

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 105A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 230W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXA12IF1200PB

جزء الأسهم: 17941

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 85W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKZ50N65NH5XKSA1

جزء الأسهم: 12700

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 85A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 273W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG7PH46UD-EP

جزء الأسهم: 6527

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 390W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4BC20UDPBF

جزء الأسهم: 28358

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 52A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A, أقصى القوة: 60W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGZ50N65H5XKSA1

جزء الأسهم: 24904

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 85A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 273W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGFW80V60F

جزء الأسهم: 10450

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 80A, أقصى القوة: 79W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW40NC60V

جزء الأسهم: 8878

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 260W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWA80H65FB

جزء الأسهم: 8569

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 80A, أقصى القوة: 469W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW30H65FB

جزء الأسهم: 21412

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGP3NC120HD

جزء الأسهم: 42852

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 75W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWT40HP65FB

جزء الأسهم: 27896

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 283W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW40M120DF3

جزء الأسهم: 6541

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 468W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH60M1DPP-M0#T2

جزء الأسهم: 26634

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 30W,

إلى قائمة الأمنيات