الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 89

IKB30N65EH5ATMA1

جزء الأسهم: 344

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 188W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKA10N65ET6XKSA2

جزء الأسهم: 2474

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 42.5A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A, أقصى القوة: 40W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKD15N60RATMA1

جزء الأسهم: 75274

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGP4063DPBF

جزء الأسهم: 9183

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 96A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 144A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.14V @ 15V, 48A, أقصى القوة: 330W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKP08N65H5XKSA1

جزء الأسهم: 36844

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 18A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 24A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 70W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4BC40W-SPBF

جزء الأسهم: 20519

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBH12N300

جزء الأسهم: 2797

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 3000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGR24N120C3D1

جزء الأسهم: 8206

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 48A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4.2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBT6N170

جزء الأسهم: 9049

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 36A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.4V @ 15V, 6A, أقصى القوة: 75W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXXK200N60C3

جزء الأسهم: 3830

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 340A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 900A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 1630W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH72N60C3

جزء الأسهم: 9941

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 360A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 540W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGP30N120B3

جزء الأسهم: 10610

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGT32N170

جزء الأسهم: 3523

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.3V @ 15V, 32A, أقصى القوة: 350W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYA8N250CHV

جزء الأسهم: 199

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 2500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 29A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 70A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 280W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXXK300N60B3

جزء الأسهم: 3200

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 550A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 1140A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 2300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXDP20N60B

جزء الأسهم: 19416

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 140W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH36N60B3

جزء الأسهم: 18818

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 92A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH64N60A3

جزء الأسهم: 12113

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 400A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.35V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 460W,

إلى قائمة الأمنيات

Rohm Semiconductor

RGTV00TS65GC11

جزء الأسهم: 2921

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 95A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 276W,

إلى قائمة الأمنيات

Rohm Semiconductor

RGW60TK65DGVC11

جزء الأسهم: 2956

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 33A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 72W,

إلى قائمة الأمنيات

Littelfuse Inc.

NGD8209NT4G

جزء الأسهم: 138379

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 445V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 4.5V, 10A, أقصى القوة: 94W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWT40H65FB

جزء الأسهم: 17282

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 283W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWT60H60DLFB

جزء الأسهم: 13164

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 375W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW60H65DFB-4

جزء الأسهم: 242

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 375W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGP30V60DF

جزء الأسهم: 24255

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 258W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGFL6NC60D

جزء الأسهم: 42391

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 22W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGFW20V60F

جزء الأسهم: 22952

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 52W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWA80H65DFB

جزء الأسهم: 15028

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 80A, أقصى القوة: 469W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW20NC60VD

جزء الأسهم: 18124

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

ISL9V5045S3ST

جزء الأسهم: 36869

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 480V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 51A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH40T65UQDF-F155

جزء الأسهم: 2159

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.67V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 231W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGB3440G2-F085

جزء الأسهم: 4330

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 26.9A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.2V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 166W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

HGTG20N60A4D

جزء الأسهم: 14369

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 280A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU-F085

جزء الأسهم: 2934

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 290W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH60D7ADPK-00#T0

جزء الأسهم: 11430

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH60D7DPQ-E0#T2

جزء الأسهم: 10922

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات