الترانزستورات - IGBTs - وحدات

APTGLQ40DDA120CT3G

Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

جزء الأسهم: 1378

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

إلى قائمة الأمنيات

APT40GLQ120JCU2

Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

جزء الأسهم: 1989

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

إلى قائمة الأمنيات

APT25GLQ120JCU2

Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

جزء الأسهم: 2465

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 170W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

جزء الأسهم: 620

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 690W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT100A602G

جزء الأسهم: 595

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT100DH60T3G

Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

جزء الأسهم: 549

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGL90SK120T1G

Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

جزء الأسهم: 602

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 385W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

جزء الأسهم: 625

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGL60DSK120T3G

Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

جزء الأسهم: 542

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 280W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT75GP120J

جزء الأسهم: 1816

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 128A, أقصى القوة: 543W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGL90DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGL90DH120T3G

جزء الأسهم: 541

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 385W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGF50DSK120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

جزء الأسهم: 556

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGL60DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

جزء الأسهم: 534

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 280W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGF50DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

جزء الأسهم: 607

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

جزء الأسهم: 579

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 208W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGF100A120T3AG

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

جزء الأسهم: 542

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 130A, أقصى القوة: 780W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGF150A60T3AG

Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

جزء الأسهم: 560

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 230A, أقصى القوة: 833W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات

APTCV60HM70BT3G

Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

جزء الأسهم: 5334

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTCV60HM70RT3G

Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

جزء الأسهم: 574

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT70GR120J

جزء الأسهم: 2416

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 112A, أقصى القوة: 543W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

جزء الأسهم: 2286

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 84A, أقصى القوة: 417W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT200GN60J

جزء الأسهم: 2197

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 283A, أقصى القوة: 682W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGF50VDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

جزء الأسهم: 578

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGF50VDA60T3G

Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

جزء الأسهم: 3071

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

جزء الأسهم: 594

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGF150A120T3AG

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

جزء الأسهم: 580

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 210A, أقصى القوة: 1041W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

جزء الأسهم: 540

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 135A, أقصى القوة: 568W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGF50DDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

جزء الأسهم: 546

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

جزء الأسهم: 581

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGF150A120T3WG

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

جزء الأسهم: 600

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 210A, أقصى القوة: 961W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

جزء الأسهم: 546

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

جزء الأسهم: 585

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

جزء الأسهم: 3077

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 42A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات

APTCV60TLM99T3G

Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

جزء الأسهم: 609

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter - IGBT, FET, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

جزء الأسهم: 524

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter - IGBT, FET, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 280W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APT150GN120JDQ4

Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

جزء الأسهم: 1322

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 215A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

2333

«
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
»