الترانزستورات - IGBTs - وحدات

Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

جزء الأسهم: 530

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

جزء الأسهم: 491

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

جزء الأسهم: 539

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

جزء الأسهم: 546

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

جزء الأسهم: 476

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGV50H120BTPG

Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

جزء الأسهم: 466

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

جزء الأسهم: 528

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 156W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

جزء الأسهم: 540

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 156W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

جزء الأسهم: 546

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

جزء الأسهم: 487

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, أقصى القوة: 115W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

جزء الأسهم: 546

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGV100H60BTPG

Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

جزء الأسهم: 5307

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT75SK120T1G

Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

جزء الأسهم: 531

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT75SK120D1G

Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

جزء الأسهم: 541

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

جزء الأسهم: 521

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT75DSK60T3G

Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

جزء الأسهم: 490

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

جزء الأسهم: 478

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT75DA170T1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

جزء الأسهم: 540

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 130A, أقصى القوة: 465W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT75DA170D1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

جزء الأسهم: 464

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, أقصى القوة: 520W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT75DA120T1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

جزء الأسهم: 555

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

جزء الأسهم: 545

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, أقصى القوة: 520W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT75DA120D1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

جزء الأسهم: 548

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

جزء الأسهم: 526

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

جزء الأسهم: 526

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 760A, أقصى القوة: 1600W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

جزء الأسهم: 482

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 310W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT50SK170D1G

Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

جزء الأسهم: 514

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 310W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

جزء الأسهم: 476

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT50DSK60T3G

Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

جزء الأسهم: 541

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT50DSK120T3G

Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

جزء الأسهم: 552

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

جزء الأسهم: 528

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT50DA170T1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

جزء الأسهم: 3071

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT50DA170D1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

جزء الأسهم: 518

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 310W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

APTGT50DA120D1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

جزء الأسهم: 496

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

جزء الأسهم: 535

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 310W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

جزء الأسهم: 520

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

جزء الأسهم: 494

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

2333

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»