Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - وحدات

APTGT50A120TG
Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

جزء الأسهم: 483

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

جزء الأسهم: 517

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 550A, أقصى القوة: 1750W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

جزء الأسهم: 472

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

جزء الأسهم: 507

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 580A, أقصى القوة: 2100W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

جزء الأسهم: 463

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 580A, أقصى القوة: 2100W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

جزء الأسهم: 527

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 205W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

جزء الأسهم: 522

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 208W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

جزء الأسهم: 463

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 205W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

جزء الأسهم: 481

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 205W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

جزء الأسهم: 507

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170T1G

جزء الأسهم: 539

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H60T3G

جزء الأسهم: 462

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DDA60T3G

جزء الأسهم: 494

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170T1G

جزء الأسهم: 474

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A60T1G

جزء الأسهم: 506

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170D1G

جزء الأسهم: 525

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170D3G

جزء الأسهم: 547

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 530A, أقصى القوة: 1470W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170D1G

جزء الأسهم: 458

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA120D3G

جزء الأسهم: 482

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 440A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120D3G

جزء الأسهم: 515

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 440A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25H120T1G

جزء الأسهم: 449

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 156W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25SK120D1G

جزء الأسهم: 3101

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25DA120D1G

جزء الأسهم: 503

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120T1G

جزء الأسهم: 542

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 156W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20X60T3G

جزء الأسهم: 455

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, أقصى القوة: 62W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120D1G

جزء الأسهم: 495

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DSK60T3G

جزء الأسهم: 520

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, أقصى القوة: 62W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T3G

جزء الأسهم: 543

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, أقصى القوة: 62W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20A60T1G

جزء الأسهم: 446

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, أقصى القوة: 62W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK170D3G

جزء الأسهم: 509

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60TG

جزء الأسهم: 478

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 290A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120D3G

جزء الأسهم: 528

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300A, أقصى القوة: 1050W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT200DA60TG

جزء الأسهم: 520

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 290A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200DA170D3G

جزء الأسهم: 465

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation

APTGT200A60TG

جزء الأسهم: 491

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 290A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170D1G

جزء الأسهم: 479

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 280A, أقصى القوة: 780W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات