الترانزستورات - IGBTs - وحدات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 65

APTGF165SK60D1G

جزء الأسهم: 463

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 230A, أقصى القوة: 730W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

جزء الأسهم: 496

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 833W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

جزء الأسهم: 456

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 230A, أقصى القوة: 781W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

جزء الأسهم: 448

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 230A, أقصى القوة: 730W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

جزء الأسهم: 440

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

جزء الأسهم: 442

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

جزء الأسهم: 487

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

جزء الأسهم: 414

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 961W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

جزء الأسهم: 410

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 961W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

جزء الأسهم: 435

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 961W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

جزء الأسهم: 453

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 135A, أقصى القوة: 568W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

جزء الأسهم: 3069

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 961W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

جزء الأسهم: 453

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 135A, أقصى القوة: 568W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

جزء الأسهم: 411

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 130A, أقصى القوة: 735W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

جزء الأسهم: 435

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 135A, أقصى القوة: 568W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

جزء الأسهم: 455

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 93A, أقصى القوة: 378W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

جزء الأسهم: 418

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 93A, أقصى القوة: 378W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

جزء الأسهم: 3465

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 347W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

جزء الأسهم: 3433

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 347W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

جزء الأسهم: 448

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

جزء الأسهم: 465

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 58A, أقصى القوة: 192W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

جزء الأسهم: 416

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 58A, أقصى القوة: 192W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

جزء الأسهم: 481

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT75GN120J

جزء الأسهم: 420

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 124A, أقصى القوة: 379W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

جزء الأسهم: 401

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 124A, أقصى القوة: 379W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

جزء الأسهم: 445

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 93A, أقصى القوة: 378W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT50GP60J

جزء الأسهم: 2419

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 329W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

جزء الأسهم: 393

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 72A, أقصى القوة: 379W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

جزء الأسهم: 2536

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 86A, أقصى القوة: 284W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

جزء الأسهم: 469

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 77A, أقصى القوة: 347W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 40A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

جزء الأسهم: 406

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 283A, أقصى القوة: 682W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

جزء الأسهم: 1653

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 128A, أقصى القوة: 543W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

جزء الأسهم: 1360

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

جزء الأسهم: 373

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 454.5W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

A2P75S12M3

جزء الأسهم: 372

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 454.5W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

A2C50S65M2

جزء الأسهم: 320

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter with Brake, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 208W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

إلى قائمة الأمنيات