مرحلات الحالة الصلبة | يمرر | 7

TLP3407S(TP,E

جزء الأسهم: 30064

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.26VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 1A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP172GM(TPR,E

جزء الأسهم: 93147

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 110mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP174G(TP,F)

جزء الأسهم: 88821

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3306(TP15,F

جزء الأسهم: 33673

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 75V, الحمل الحالي: 400mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3554(TP1,F)

جزء الأسهم: 3833

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 2.5A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP171D(TP,F

جزء الأسهم: 80762

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3412(TP,F

جزء الأسهم: 39335

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 400mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP197A(F)

جزء الأسهم: 3824

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 400mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP4597G(F)

جزء الأسهم: 58481

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NC (1 Form B), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 150mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP241A(D4,F

جزء الأسهم: 7448

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 2A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP240D(TP1,F

جزء الأسهم: 96688

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 250mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP172GM(E

جزء الأسهم: 7496

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 110mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP240A(F

جزء الأسهم: 7465

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 500mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP241A(F

جزء الأسهم: 7510

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 2A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP171A(TP,F

جزء الأسهم: 80746

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 400mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP241A(D4,TP1,F

جزء الأسهم: 7435

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 2A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP240J(TP1,F

جزء الأسهم: 7468

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 600V, الحمل الحالي: 90mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP4006G(F)

جزء الأسهم: 20393

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO + SPST-NC (1 Form A and B), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP197G(F)

جزء الأسهم: 30890

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3109(F

جزء الأسهم: 7535

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 100V, الحمل الحالي: 2A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP241A(LF1,F

جزء الأسهم: 7466

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 2A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP179D(F)

جزء الأسهم: 57663

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 50mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP240D(LF1,F

جزء الأسهم: 7502

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 250mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP4206G(F)

جزء الأسهم: 29205

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NC (1 Form B) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP206GA(V4-TPR,F)

جزء الأسهم: 7511

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 400V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP175A(TPL,E

جزء الأسهم: 196664

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 100mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP240D(F

جزء الأسهم: 7503

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 250mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP222A(TP1,F)

جزء الأسهم: 7411

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 500mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3553(TP1,F)

جزء الأسهم: 39665

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 20V, الحمل الحالي: 3A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP197GA(F)

جزء الأسهم: 31761

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 400V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP176D(TP,F)

جزء الأسهم: 7451

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3102(TP,F)

جزء الأسهم: 7428

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 2.5A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3556(F)

جزء الأسهم: 30860

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 100V, الحمل الحالي: 1A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP240GA(LF1,F

جزء الأسهم: 7472

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 400V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP170D(TP,F)

جزء الأسهم: 93447

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP197D(F)

جزء الأسهم: 41016

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 200mA,

قائمة الرغبات