مرحلات الحالة الصلبة

منزل، بيت
مرحلات الحالة الصلبة

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP4026G(F)

جزء الأسهم: 25069

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO + SPST-NC (1 Form A and B), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP176A(F)

جزء الأسهم: 47596

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 400mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3106(TP,F

جزء الأسهم: 29752

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 30V, الحمل الحالي: 4A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP197G(TP,F)

جزء الأسهم: 56670

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3106(F

جزء الأسهم: 21970

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 30V, الحمل الحالي: 4A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP220J(F)

جزء الأسهم: 13356

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.63VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 600V, الحمل الحالي: 90mA,

قائمة الرغبات

TLP3250(TP15,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3250(TP15,F)

جزء الأسهم: 34952

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.3VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 20V, الحمل الحالي: 200mA,

قائمة الرغبات

TLP227G-2(TP1,N,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP227G-2(TP1,N,F)

جزء الأسهم: 7809

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3412R(TP,F

جزء الأسهم: 35789

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.8VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 400mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP4176G(F)

جزء الأسهم: 30228

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NC (1 Form B), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3558A(TP1,F

جزء الأسهم: 6483

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 700mA,

قائمة الرغبات

TLP227GA-2(TP1,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP227GA-2(TP1,F)

جزء الأسهم: 38803

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 400V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3546A(TP1,F

جزء الأسهم: 10000

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 100V, الحمل الحالي: 3.5A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3127(TP,F

جزء الأسهم: 40382

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 1.3A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3131(TP,F)

جزء الأسهم: 30488

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 20V, الحمل الحالي: 300mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3825(TP1,F

جزء الأسهم: 6515

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 1.5A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3475(TP,F

جزء الأسهم: 39294

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 50V, الحمل الحالي: 300mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3419(TP,F)

جزء الأسهم: 39266

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 80V, الحمل الحالي: 200mA,

قائمة الرغبات

TLP222A-2(LF1,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP222A-2(LF1,F)

جزء الأسهم: 19242

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 500mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3100(TP,F)

جزء الأسهم: 34867

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 20V, الحمل الحالي: 2.5A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3545A(TP1,F

جزء الأسهم: 6540

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 4A,

قائمة الرغبات

TLP3231(TP15,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3231(TP15,F)

جزء الأسهم: 28275

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 20V, الحمل الحالي: 450mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP241AF(TP4,F

جزء الأسهم: 16542

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 2A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3556A(TP1,F

جزء الأسهم: 6508

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 100V, الحمل الحالي: 2A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP227G(F)

جزء الأسهم: 29313

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP241A(TP1,F

جزء الأسهم: 105724

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 2A,

قائمة الرغبات

TLP3241(TP15,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3241(TP15,F)

جزء الأسهم: 7880

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.3VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 140mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3116(F)

جزء الأسهم: 18257

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3475R(TP,F

جزء الأسهم: 39307

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.8VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 50V, الحمل الحالي: 300mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3131(F)

جزء الأسهم: 7865

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 20V, الحمل الحالي: 300mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3114(F)

جزء الأسهم: 17891

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 250mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP4222G-2(F)

جزء الأسهم: 7911

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NC (1 Form B) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 100mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP172G(TP,F)

جزء الأسهم: 79561

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 110mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3100(F)

جزء الأسهم: 9847

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 20V, الحمل الحالي: 2.5A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3105(TP,F)

جزء الأسهم: 7980

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 100V, الحمل الحالي: 1.4A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP240A(TP1,F

جزء الأسهم: 91366

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 500mA,

قائمة الرغبات

225

«
1
2
3
4
5
6
7
»