الترانزستورات - JFETs | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 1

2SK879-Y(TE85L,F)

جزء الأسهم: 198791

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-GR(TE85L,F

جزء الأسهم: 405

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-GR(TE85L,F)

جزء الأسهم: 389

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-O(TE85L,F)

جزء الأسهم: 342

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-GR(TE85L,F)

جزء الأسهم: 340

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-Y(TE85L,F)

جزء الأسهم: 123563

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-BL(TE85L,F)

جزء الأسهم: 403

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 50V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 1.5V @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880GRTE85LF

جزء الأسهم: 100454

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 50V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 1.5V @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-Y(TE85L,F)

جزء الأسهم: 407

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-BL(TE85L,F

جزء الأسهم: 9964

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-BL(TE85L,F

جزء الأسهم: 177718

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-R(TE85L,F)

جزء الأسهم: 9975

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-Y(TE85L,F)

جزء الأسهم: 3488

نوع FET: N-Channel, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-Y(TE85L,F)

جزء الأسهم: 110749

نوع FET: N-Channel, الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): 50V, الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, الجهد - القطع (VGS off) @ Id: 1.5V @ 100nA,

قائمة الرغبات