Optoisolators - التيرستورات ، خرج SCR | العوازل | 2

TLP3052(S,C,F)

جزء الأسهم: 898

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161G(U,C,F)

جزء الأسهم: 55518

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 400V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4-TPR,E

جزء الأسهم: 8555

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP166J(V4,C,F)

جزء الأسهم: 73970

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062A(TP1,F

جزء الأسهم: 8599

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 2000V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4-TPL,E

جزء الأسهم: 8523

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3063SCF

جزء الأسهم: 8568

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(TPR,E

جزء الأسهم: 199932

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(TPL,E

جزء الأسهم: 8536

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3073(F

جزء الأسهم: 8444

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 800V, ثابت dV / dt (دقيقة): 2000V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7TL,E

جزء الأسهم: 860

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3042(TP1,S,C,F)

جزء الأسهم: 8497

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 400V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(TPL,E

جزء الأسهم: 8478

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(E

جزء الأسهم: 8436

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7TR,E

جزء الأسهم: 8518

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(E

جزء الأسهم: 8544

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4T7,E

جزء الأسهم: 908

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(T2-TPL,E

جزء الأسهم: 8466

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP260JTPRPF

جزء الأسهم: 8449

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP168J(TPR,U,C,F)

جزء الأسهم: 938

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(TPR,E

جزء الأسهم: 8470

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3064(TP1,SC,F,T)

جزء الأسهم: 8550

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4,E

جزء الأسهم: 8471

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4-TPR,E

جزء الأسهم: 8560

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3023SF

جزء الأسهم: 77992

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 400V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(TPR,E

جزء الأسهم: 8534

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062A(LF1,F

جزء الأسهم: 8556

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 2000V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161J(TPR,U,C,F)

جزء الأسهم: 8530

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3064(D4TP1S,C,F

جزء الأسهم: 8525

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(TPL,E

جزء الأسهم: 8503

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP160J(U,C,F)

جزء الأسهم: 102033

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP168J(U,C,F)

جزء الأسهم: 68893

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3043(S,C,F)

جزء الأسهم: 55528

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 400V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP361J(F)

جزء الأسهم: 8490

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062A(F

جزء الأسهم: 8528

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 2000V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3052A(TP1,F

جزء الأسهم: 8485

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 2000V/µs (Typ),

قائمة الرغبات