الثنائيات - زينر - مفرد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 1

CRZ13(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 99

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 13V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 9V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 140

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 20V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 14V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 137

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 36V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 28.8V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 176

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 6.2V, تسامح: ±9.68%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 60 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 3V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 141

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 16V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 11V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 172

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 30V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 21V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 86

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 24V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 17V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 127

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 22V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 16V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 153

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 10V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 6V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 98

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 11V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 7V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 114

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 27V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 19V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 118

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 18V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 13V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 89

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 12V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 8V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 142

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 47V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 65 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 37.6V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 173943

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 15V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 10V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 170

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 43V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 40 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 34.4V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 150

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 39V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 35 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 31.2V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

جزء الأسهم: 8202

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 10V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 6V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

جزء الأسهم: 3906

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 22V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 16V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

جزء الأسهم: 8171

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 47V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 65 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 37.6V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

جزء الأسهم: 8174

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 30V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 21V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 5464

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 33V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 26.4V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

جزء الأسهم: 8245

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 12V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 8V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

جزء الأسهم: 8173

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 11V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 7V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 152718

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 6.8V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 60 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 3V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 127852

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 8.2V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 4.9V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 138193

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 7.5V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 4.5V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 5349

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 9.1V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 5.5V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

جزء الأسهم: 5364

الجهد - زينر (نوم) (Vz): 18V, تسامح: ±10%, أقصى القوة: 700mW, مقاومة (ماكس) (Zzt): 30 Ohms, الحالي - عكس التسرب @ Vr: 10µA @ 13V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA,

قائمة الرغبات