Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

1SS387CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

جزء الأسهم: 117530

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.6ns,

قائمة الرغبات
1SS190TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

جزء الأسهم: 116

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 4ns,

قائمة الرغبات
1SS187,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

جزء الأسهم: 131

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 4ns,

قائمة الرغبات
1SS416CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

جزء الأسهم: 111

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

جزء الأسهم: 161

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS193,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

جزء الأسهم: 176168

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 4ns,

قائمة الرغبات
1SS413CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

جزء الأسهم: 156192

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS424(TPL3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

جزء الأسهم: 201

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 200mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

جزء الأسهم: 122602

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 300mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 300mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1SS193S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

جزء الأسهم: 2303

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 4ns,

قائمة الرغبات
1SS389,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

جزء الأسهم: 1533

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS394TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

جزء الأسهم: 154898

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 10V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS397TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

جزء الأسهم: 152629

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

جزء الأسهم: 136052

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 4ns,

قائمة الرغبات
1SS403,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

جزء الأسهم: 175794

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 60ns,

قائمة الرغبات
1SS370TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

جزء الأسهم: 1558

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 60ns,

قائمة الرغبات
1SS307E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

جزء الأسهم: 146552

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS413,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

جزء الأسهم: 180671

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS416,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

جزء الأسهم: 113319

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS417,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

جزء الأسهم: 108515

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 620mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS417CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

جزء الأسهم: 21577

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 620mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS405,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

جزء الأسهم: 106441

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS389,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

جزء الأسهم: 119305

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 10V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1SS367,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

جزء الأسهم: 129010

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 10V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
1SS427,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

جزء الأسهم: 138564

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.6ns,

قائمة الرغبات
1SS404,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

جزء الأسهم: 174948

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 300mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 300mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1SS387,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

جزء الأسهم: 106991

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 4ns,

قائمة الرغبات
1SS352,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

جزء الأسهم: 126326

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 4ns,

قائمة الرغبات
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

جزء الأسهم: 172900

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 60ns,

قائمة الرغبات
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

جزء الأسهم: 154455

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
BAS516,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

جزء الأسهم: 8357

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 3ns,

قائمة الرغبات
BAS316,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

جزء الأسهم: 8339

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 3ns,

قائمة الرغبات
BAS516,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

جزء الأسهم: 8339

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 3ns,

قائمة الرغبات
TRS10E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

جزء الأسهم: 6216

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
CBS10S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

جزء الأسهم: 176414

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CBS10S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

جزء الأسهم: 162705

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات