Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

CRG09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG09(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 193

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 700mA, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CUS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 250

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 700mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 700mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CMH08(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

جزء الأسهم: 223

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
CUS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

جزء الأسهم: 162

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 700mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CRG07(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 183

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 700mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 700mA, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CMH05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

جزء الأسهم: 178

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
CRS14(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 166

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CMS10(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

جزء الأسهم: 130001

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLH02(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

جزء الأسهم: 2615

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CLS02(TE16L,HIT,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

جزء الأسهم: 2547

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.55V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLS02(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

جزء الأسهم: 2587

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.55V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLS03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

جزء الأسهم: 2557

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.58V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLH02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

جزء الأسهم: 2558

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CLH05,LMBJQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05,LMBJQ(O

جزء الأسهم: 2588

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.98V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CLH07(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

جزء الأسهم: 2552

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CLS01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

جزء الأسهم: 2596

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.47V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLS03(T6L,SHINA,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,SHINA,Q)

جزء الأسهم: 2554

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.58V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLH01(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

جزء الأسهم: 2598

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.98V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CLH05(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

جزء الأسهم: 2581

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.98V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CLS03(TE16L,PCD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PCD,Q)

جزء الأسهم: 2562

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.58V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLS02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16R,Q)

جزء الأسهم: 2544

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.55V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLS02(T6L,CLAR,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CLAR,Q)

جزء الأسهم: 2597

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.55V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLS02(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,SQC,Q)

جزء الأسهم: 2590

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.55V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLH06(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16L,Q)

جزء الأسهم: 2608

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CLH01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16R,Q)

جزء الأسهم: 2533

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.98V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CLS01,LFJFQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01,LFJFQ(O

جزء الأسهم: 2549

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.47V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLS03,LNITTOQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03,LNITTOQ(O

جزء الأسهم: 2564

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.58V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLS03(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

جزء الأسهم: 2613

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.58V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLH03(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16L,Q)

جزء الأسهم: 2603

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A (DC), سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CLS03(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

جزء الأسهم: 2602

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.58V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLS03(TE16L,PSD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

جزء الأسهم: 5263

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.58V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLH07(TE16L,NMB,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

جزء الأسهم: 2547

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CLS03(TE16L,DNSO,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

جزء الأسهم: 2552

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.58V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLH06(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

جزء الأسهم: 5332

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CCS15S30,L3IDTF
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

جزء الأسهم: 2062

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 400mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CMH05A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

جزء الأسهم: 102694

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات