Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

CBS05F30(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS05F30(TPL3)

جزء الأسهم: 1645

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
DSR01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

جزء الأسهم: 131336

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 620mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
CLS01(TE16L,PAS,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

جزء الأسهم: 1424

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.47V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
DSF01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

جزء الأسهم: 1267

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
CLS01(T6LSONY,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

جزء الأسهم: 1440

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.47V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CLH05(T6L,NKOD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

جزء الأسهم: 1359

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 0.98V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CLH03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

جزء الأسهم: 1368

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A (DC), سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CMS03(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

جزء الأسهم: 1091

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
DSF07S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

جزء الأسهم: 1170

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 700mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 700mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
DSF05S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

جزء الأسهم: 1121

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
U1GWJ49(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

جزء الأسهم: 852

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CRS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 101221

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 510mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CUS02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 779

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 470mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CRS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 186793

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 360mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CUHS10F60,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

جزء الأسهم: 9971

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CUS15S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

جزء الأسهم: 186045

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CRS11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 161979

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 360mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
TBAS16,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

جزء الأسهم: 122216

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 215mA, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CUS551V30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

جزء الأسهم: 168808

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 470mV @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CUS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

جزء الأسهم: 784

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 390mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CUS15S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

جزء الأسهم: 171031

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 400mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
TBAT54,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

جزء الأسهم: 142010

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 140mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.5ns,

قائمة الرغبات
CMS09(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

جزء الأسهم: 262

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CRS04(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

جزء الأسهم: 173

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 510mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CMS02(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

جزء الأسهم: 183

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 400mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CMS04(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

جزء الأسهم: 211

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 370mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CMS11(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

جزء الأسهم: 213

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CRS09(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

جزء الأسهم: 196

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 460mV @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CRS08(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

جزء الأسهم: 264

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 360mV @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CRH01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

جزء الأسهم: 5028

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 980mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
CRS01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

جزء الأسهم: 200

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 360mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CRS11(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

جزء الأسهم: 264

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 360mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CMS01(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

جزء الأسهم: 178

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 370mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CMS01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

جزء الأسهم: 129014

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 370mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CCS15S30,L3QUF
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

جزء الأسهم: 124325

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 400mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CUS10F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

جزء الأسهم: 143420

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات