Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

المنطق - المخازن المؤقتة ، وبرامج التشغيل ، وأجهزة

  • منزل، بيت
  •  
  • المنطق - المخازن المؤقتة ، وبرامج التشغيل ، وأجهزة
74HC541D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HC541D

جزء الأسهم: 8624

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 7.8mA, 7.8mA,

قائمة الرغبات
74HCT240D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HCT240D

جزء الأسهم: 8653

نوع المنطق: Buffer, Inverting, عدد العناصر: 2, عدد وحدات البت لكل عنصر: 4, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 6mA, 6mA,

قائمة الرغبات
74HCT244D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HCT244D

جزء الأسهم: 130

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 2, عدد وحدات البت لكل عنصر: 4, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 6mA, 6mA,

قائمة الرغبات
74HCT541D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HCT541D

جزء الأسهم: 13300

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 6mA, 6mA,

قائمة الرغبات
74HCT540D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HCT540D

جزء الأسهم: 8640

نوع المنطق: Buffer, Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 6mA, 6mA,

قائمة الرغبات
74HC244D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HC244D

جزء الأسهم: 8696

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 2, عدد وحدات البت لكل عنصر: 4, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 7.8mA, 7.8mA,

قائمة الرغبات
74HC240D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HC240D

جزء الأسهم: 8629

نوع المنطق: Buffer, Inverting, عدد العناصر: 2, عدد وحدات البت لكل عنصر: 4, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 7.8mA, 7.8mA,

قائمة الرغبات
74HC540D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HC540D

جزء الأسهم: 16287

نوع المنطق: Buffer, Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 7.8mA, 7.8mA,

قائمة الرغبات
74HC4050D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HC4050D

جزء الأسهم: 162

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 6, عدد وحدات البت لكل عنصر: 1, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 7.8mA, 7.8mA,

قائمة الرغبات
74VHCV541FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHCV541FT

جزء الأسهم: 142

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 16mA, 16mA,

قائمة الرغبات
74HCT245D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HCT245D

جزء الأسهم: 8676

نوع المنطق: Transceiver, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 6mA, 6mA,

قائمة الرغبات
74HC245D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HC245D

جزء الأسهم: 16253

نوع المنطق: Transceiver, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 7.8mA, 7.8mA,

قائمة الرغبات
74VHCV245FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHCV245FT

جزء الأسهم: 199

نوع المنطق: Transceiver, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإدخال: Schmitt Trigger, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 16mA, 16mA,

قائمة الرغبات
74VHCT541AFT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHCT541AFT

جزء الأسهم: 20340

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74LCX540FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74LCX540FT

جزء الأسهم: 137

نوع المنطق: Buffer, Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 24mA, 24mA,

قائمة الرغبات
74VHCT244AFT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHCT244AFT

جزء الأسهم: 110

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 2, عدد وحدات البت لكل عنصر: 4, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74VHC240FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHC240FT

جزء الأسهم: 194

نوع المنطق: Buffer, Inverting, عدد العناصر: 2, عدد وحدات البت لكل عنصر: 4, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74VHCT240AFT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHCT240AFT

جزء الأسهم: 163

نوع المنطق: Buffer, Inverting, عدد العناصر: 2, عدد وحدات البت لكل عنصر: 4, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74VHC541FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHC541FT

جزء الأسهم: 187

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74VHCT540AFT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHCT540AFT

جزء الأسهم: 134

نوع المنطق: Buffer, Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74VHCT245AFT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHCT245AFT

جزء الأسهم: 169

نوع المنطق: Transceiver, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74VHC540FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHC540FT

جزء الأسهم: 48474

نوع المنطق: Buffer, Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74VHC244FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHC244FT

جزء الأسهم: 10770

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 2, عدد وحدات البت لكل عنصر: 4, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74LCX244FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74LCX244FT

جزء الأسهم: 197834

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 2, عدد وحدات البت لكل عنصر: 4, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 24mA, 24mA,

قائمة الرغبات
74LCX245FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74LCX245FT

جزء الأسهم: 157

نوع المنطق: Transceiver, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 24mA, 24mA,

قائمة الرغبات
74LCX240FT(AE)
Toshiba Semiconductor and Storage

74LCX240FT(AE)

جزء الأسهم: 133

نوع المنطق: Buffer, Inverting, عدد العناصر: 2, عدد وحدات البت لكل عنصر: 4, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 24mA, 24mA,

قائمة الرغبات
74VHC245FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHC245FT

جزء الأسهم: 124

نوع المنطق: Transceiver, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74LCX541FT(AE)
Toshiba Semiconductor and Storage

74LCX541FT(AE)

جزء الأسهم: 100792

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 24mA, 24mA,

قائمة الرغبات
74LCX541FT(AJ)
Toshiba Semiconductor and Storage

74LCX541FT(AJ)

جزء الأسهم: 183626

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 1, عدد وحدات البت لكل عنصر: 8, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 24mA, 24mA,

قائمة الرغبات
74VHCV07FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHCV07FT

جزء الأسهم: 146

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 6, عدد وحدات البت لكل عنصر: 1, نوع الإدخال: Schmitt Trigger, نوع الإخراج: Open Drain, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: -, 16mA,

قائمة الرغبات
74HC126D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HC126D

جزء الأسهم: 105

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 4, عدد وحدات البت لكل عنصر: 1, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 7.8mA, 7.8mA,

قائمة الرغبات
74LCX07FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74LCX07FT

جزء الأسهم: 136

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 6, عدد وحدات البت لكل عنصر: 1, نوع الإخراج: Open Drain, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: -, 32mA,

قائمة الرغبات
74VHC125FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHC125FT

جزء الأسهم: 135610

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 4, عدد وحدات البت لكل عنصر: 1, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74VHCT125AFT
Toshiba Semiconductor and Storage

74VHCT125AFT

جزء الأسهم: 151966

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 4, عدد وحدات البت لكل عنصر: 1, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 8mA, 8mA,

قائمة الرغبات
74LCX125FT
Toshiba Semiconductor and Storage

74LCX125FT

جزء الأسهم: 183

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 4, عدد وحدات البت لكل عنصر: 1, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 24mA, 24mA,

قائمة الرغبات
74HC125D
Toshiba Semiconductor and Storage

74HC125D

جزء الأسهم: 10844

نوع المنطق: Buffer, Non-Inverting, عدد العناصر: 4, عدد وحدات البت لكل عنصر: 1, نوع الإخراج: 3-State, الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: 7.8mA, 7.8mA,

قائمة الرغبات