Optoisolators - التيرستورات ، خرج SCR | العوازل | 2

TLP160G(U,F)

جزء الأسهم: 111026

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 400V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4T7TR,E

جزء الأسهم: 8482

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP548J(TP1,F)

جزء الأسهم: 132163

نوع الإخراج: SCR, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 5V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3073(LF1,F

جزء الأسهم: 8494

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 800V, ثابت dV / dt (دقيقة): 2000V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(TPR,E

جزء الأسهم: 8542

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(T2-TPL,E

جزء الأسهم: 8525

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7,E

جزء الأسهم: 8460

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(TPL,E

جزء الأسهم: 8511

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP163J(TPR,U,C,F)

جزء الأسهم: 178799

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(E

جزء الأسهم: 8425

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062(S,C,F)

جزء الأسهم: 8502

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP160J(TPR,U,C,F)

جزء الأسهم: 139178

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4T7TL,E

جزء الأسهم: 8545

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3073(TP1,F

جزء الأسهم: 8447

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 800V, ثابت dV / dt (دقيقة): 2000V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4-TPL,E

جزء الأسهم: 8525

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4,E

جزء الأسهم: 8592

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161G(TPR,U,C,F)

جزء الأسهم: 166870

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 400V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3042SCF

جزء الأسهم: 38037

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 400V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(E

جزء الأسهم: 8509

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP748J(F)

جزء الأسهم: 43612

نوع الإخراج: SCR, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 4000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 5V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP748J(TP1,F)

جزء الأسهم: 124626

نوع الإخراج: SCR, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 4000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 5V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161J(U,C,F)

جزء الأسهم: 55523

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(T7-TPL,E

جزء الأسهم: 127487

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 500V/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(T7-TPL,E

جزء الأسهم: 166164

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 3750Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP525G-2(F)

جزء الأسهم: 31709

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 2, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 400V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP748J(D4,F)

جزء الأسهم: 42622

نوع الإخراج: SCR, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 4000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 600V, ثابت dV / dt (دقيقة): 5V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3083(TP1,F

جزء الأسهم: 140292

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: Yes, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 5000Vrms, الجهد - خارج الدولة: 800V, ثابت dV / dt (دقيقة): 2kV/µs (Typ),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP525GF

جزء الأسهم: 63150

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 400V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP160G(TPR,U,F)

جزء الأسهم: 193788

نوع الإخراج: Triac, حلبة العبور الصفرية: No, عدد القنوات: 1, الجهد - العزلة: 2500Vrms, الجهد - خارج الدولة: 400V, ثابت dV / dt (دقيقة): 200V/µs,

قائمة الرغبات