مرحلات الحالة الصلبة | يمرر | 7

TLP3409S(TP,E

جزء الأسهم: 30023

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 100V, الحمل الحالي: 650mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP192A(F)

جزء الأسهم: 41174

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 400mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3545A(F

جزء الأسهم: 118

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 4A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3555A(F

جزء الأسهم: 103

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 3A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3555A(TP1,F

جزء الأسهم: 173

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 3A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3825(F

جزء الأسهم: 164

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 1.5A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP220D(F)

جزء الأسهم: 10047

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.63VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 250mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3545(LF1,F)

جزء الأسهم: 440

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 3A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP206GA(F)

جزء الأسهم: 21819

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 400V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP4227G-2(F)

جزء الأسهم: 25650

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NC (1 Form B) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 150mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP222A-2(F)

جزء الأسهم: 33949

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 500mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP224G-2(F)

جزء الأسهم: 29795

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3543A(F

جزء الأسهم: 670

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 30V, الحمل الحالي: 5A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3825F(F

جزء الأسهم: 447

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 1.5A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP176G(F)

جزء الأسهم: 32464

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3122A(E

جزء الأسهم: 966

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 1.4A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3543(F)

جزء الأسهم: 9897

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 20V, الحمل الحالي: 4A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3823F(F

جزء الأسهم: 282

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 100V, الحمل الحالي: 3A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3120(F)

جزء الأسهم: 17476

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 80V, الحمل الحالي: 1.25A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3558A(F

جزء الأسهم: 199

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 700mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP176AM(E

جزء الأسهم: 1360

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 700mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3823(F

جزء الأسهم: 682

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 100V, الحمل الحالي: 3A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3546(F)

جزء الأسهم: 16584

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 100V, الحمل الحالي: 2A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3553A(F

جزء الأسهم: 336

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 30V, الحمل الحالي: 4A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP176GA(F)

جزء الأسهم: 31451

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 400V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP209D(F)

جزء الأسهم: 26539

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 200V, الحمل الحالي: 50mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3556A(F

جزء الأسهم: 1547

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 100V, الحمل الحالي: 2A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP170J(F)

جزء الأسهم: 52705

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 600V, الحمل الحالي: 90mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP597G(F)

جزء الأسهم: 44973

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP797J(F)

جزء الأسهم: 43679

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 600V, الحمل الحالي: 100mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP222G-2(F)

جزء الأسهم: 33930

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3553A(TP1,F

جزء الأسهم: 6482

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 30V, الحمل الحالي: 4A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3122(F)

جزء الأسهم: 38201

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 1A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3440S(TP,E

جزء الأسهم: 10844

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.22VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3118(F)

جزء الأسهم: 23279

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 80V, الحمل الحالي: 40mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3115(F)

جزء الأسهم: 7739

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 300mA,

قائمة الرغبات