مرحلات الحالة الصلبة | يمرر | 7

TLP3403R(TP,F

جزء الأسهم: 39301

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.8VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 20V, الحمل الحالي: 1A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP222G(F)

جزء الأسهم: 67839

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP172A(TP,F)

جزء الأسهم: 7858

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 400mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP4192G(F)

جزء الأسهم: 3867

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NC (1 Form B), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 90mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP227G-2(F)

جزء الأسهم: 31513

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP4227G(F)

جزء الأسهم: 35961

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NC (1 Form B), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 150mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP172G(F)

جزء الأسهم: 34898

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 110mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3114(TP,F)

جزء الأسهم: 23400

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 250mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3441(TP,F

جزء الأسهم: 39293

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 140mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3130(F)

جزء الأسهم: 23315

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 20V, الحمل الحالي: 160mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP227GA(F)

جزء الأسهم: 38218

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 400V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP170G(TP,F)

جزء الأسهم: 93498

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 100mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3120(TP,F)

جزء الأسهم: 29843

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 80V, الحمل الحالي: 1.25A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3127(F

جزء الأسهم: 30868

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 1.3A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP172A(F)

جزء الأسهم: 50892

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 400mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3121(F)

جزء الأسهم: 17506

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 80V, الحمل الحالي: 350mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP227G(N,F)

جزء الأسهم: 47000

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3122(TP,F)

جزء الأسهم: 66603

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 1A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP240GA(TP1,F

جزء الأسهم: 91404

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 400V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3543A(TP1,F

جزء الأسهم: 9976

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.64VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 30V, الحمل الحالي: 5A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP240G(TP1,F

جزء الأسهم: 91353

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 100mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3240(TP15,F)

جزء الأسهم: 3806

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.3VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3417(TP,F)

جزء الأسهم: 39299

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.27VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 80V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP206G(TP,F)

جزء الأسهم: 30303

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A) x 2, نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3341(TP15,F)

جزء الأسهم: 38837

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 140mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP220A(F)

جزء الأسهم: 7964

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.63VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 500mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP170A(F)

جزء الأسهم: 53509

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 400mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3123(D4,F

جزء الأسهم: 8000

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 1A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP4172G(F)

جزء الأسهم: 7921

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NC (1 Form B), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 350V, الحمل الحالي: 90mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3123(D4,TP,F

جزء الأسهم: 7970

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.33VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 40V, الحمل الحالي: 1A,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3125(TP,F)

جزء الأسهم: 42672

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 400V, الحمل الحالي: 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3217(TP15,F)

جزء الأسهم: 3830

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 80V, الحمل الحالي: 120mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3125(F)

جزء الأسهم: 30923

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 400V, الحمل الحالي: 200mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP227A(F)

جزء الأسهم: 50879

نوع التركيب: Through Hole, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 500mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3475S(TP,E

جزء الأسهم: 10781

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.24VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 60V, الحمل الحالي: 400mA,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3119(F)

جزء الأسهم: 23314

نوع التركيب: Surface Mount, دائرة كهربائية: SPST-NO (1 Form A), نوع الإخراج: AC, DC, الجهد - المدخلات: 1.15VDC, الجهد - الحمل: 0V ~ 80V, الحمل الحالي: 200mA,

قائمة الرغبات