Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - وحدات

APTGT225A170G
Microsemi Corporation

APTGT225A170G

جزء الأسهم: 559

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 340A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

قائمة الرغبات
APTGT450DA60G
Microsemi Corporation

APTGT450DA60G

جزء الأسهم: 807

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 550A, أقصى القوة: 1750W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

قائمة الرغبات
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation

APTGT200DH60G

جزء الأسهم: 969

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 290A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT50A170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170T1G

جزء الأسهم: 1665

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGLQ200H65G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H65G

جزء الأسهم: 235

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 270A, أقصى القوة: 680W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT100H170G
Microsemi Corporation

APTGT100H170G

جزء الأسهم: 545

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 560W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT50DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DA120TG

جزء الأسهم: 1830

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT100TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TDU60PG

جزء الأسهم: 882

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Triple, Dual - Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU60TG

جزء الأسهم: 1678

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APT85GR120JD60
Microsemi Corporation

APT85GR120JD60

جزء الأسهم: 1831

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 116A, أقصى القوة: 543W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

قائمة الرغبات
APT200GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4

جزء الأسهم: 1985

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 283A, أقصى القوة: 682W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APT150GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN60JDQ4

جزء الأسهم: 2056

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 536W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGFQ25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGFQ25H120T2G

جزء الأسهم: 1323

نوع IGBT: NPT and Fieldstop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 227W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات
APTGT200A120G
Microsemi Corporation

APTGT200A120G

جزء الأسهم: 466

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 280A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT200DU120G
Microsemi Corporation

APTGT200DU120G

جزء الأسهم: 608

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 280A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APT100GT120JU2
Microsemi Corporation

APT100GT120JU2

جزء الأسهم: 2200

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTCV60TLM45T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM45T3G

جزء الأسهم: 3094

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter - IGBT, FET, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APT85GR120J
Microsemi Corporation

APT85GR120J

جزء الأسهم: 2135

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 116A, أقصى القوة: 543W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

قائمة الرغبات
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation

APTGT75A1202G

جزء الأسهم: 548

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30TL60T3G

جزء الأسهم: 3068

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات
APT50GF60JCU2
Microsemi Corporation

APT50GF60JCU2

جزء الأسهم: 598

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APT25GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GF120JCU2

جزء الأسهم: 619

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 227W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات
APT15GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT15GF120JCU2

جزء الأسهم: 601

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, أقصى القوة: 156W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

قائمة الرغبات
APT75GN120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3

جزء الأسهم: 2245

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 124A, أقصى القوة: 379W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DH120T3G

جزء الأسهم: 608

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T2G

جزء الأسهم: 565

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

جزء الأسهم: 1378

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

قائمة الرغبات
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

جزء الأسهم: 1989

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

قائمة الرغبات
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

جزء الأسهم: 2465

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 170W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

جزء الأسهم: 620

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 690W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

جزء الأسهم: 595

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

جزء الأسهم: 549

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

جزء الأسهم: 602

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 385W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

جزء الأسهم: 625

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

جزء الأسهم: 542

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 280W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

جزء الأسهم: 1816

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 128A, أقصى القوة: 543W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات