Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - وحدات

APTGT150A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A120D1G

جزء الأسهم: 531

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 700W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A170D1G

جزء الأسهم: 504

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 280A, أقصى القوة: 780W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT100TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TA60PG

جزء الأسهم: 499

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK60TG

جزء الأسهم: 503

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK170D1G

جزء الأسهم: 535

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 695W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK60T1G

جزء الأسهم: 475

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK120TG

جزء الأسهم: 499

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK120D1G

جزء الأسهم: 504

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 520W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100DH170G
Microsemi Corporation

APTGT100DH170G

جزء الأسهم: 519

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 560W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DSK60T3G

جزء الأسهم: 465

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DDA60T3G

جزء الأسهم: 447

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA60TG

جزء الأسهم: 495

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100DA170TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA170TG

جزء الأسهم: 472

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 560W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA170D1G

جزء الأسهم: 489

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 695W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA120D1G

جزء الأسهم: 508

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 520W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA120TG

جزء الأسهم: 456

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A170D1G

جزء الأسهم: 453

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 695W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100A60TG
Microsemi Corporation

APTGT100A60TG

جزء الأسهم: 489

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT100A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A120D1G

جزء الأسهم: 3061

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 520W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGL325SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325SK120D3G

جزء الأسهم: 506

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 420A, أقصى القوة: 1500W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات
APTGF90TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TDU60PG

جزء الأسهم: 489

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Triple, Dual - Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

قائمة الرغبات
APTGL325DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325DA120D3G

جزء الأسهم: 464

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 420A, أقصى القوة: 1500W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات
APTGF90SK60TG
Microsemi Corporation

APTGF90SK60TG

جزء الأسهم: 437

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

قائمة الرغبات
APTGF90TA60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TA60PG

جزء الأسهم: 476

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

قائمة الرغبات
APTGF90SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60T1G

جزء الأسهم: 509

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

قائمة الرغبات
APTGF90SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60D1G

جزء الأسهم: 494

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 130A, أقصى القوة: 445W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGF90DU60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DU60TG

جزء الأسهم: 474

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

قائمة الرغبات
APTGF90H60TG
Microsemi Corporation

APTGF90H60TG

جزء الأسهم: 3062

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

قائمة الرغبات
APTGF90DH60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DH60TG

جزء الأسهم: 461

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

قائمة الرغبات
APTGF90DA60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DA60TG

جزء الأسهم: 519

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

قائمة الرغبات
APTGF90DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60D1G

جزء الأسهم: 3081

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 130A, أقصى القوة: 445W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGF90DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60T1G

جزء الأسهم: 459

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

قائمة الرغبات
APTGF90A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90A60T1G

جزء الأسهم: 457

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

قائمة الرغبات
APTGF90A60TG
Microsemi Corporation

APTGF90A60TG

جزء الأسهم: 504

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

قائمة الرغبات
APTGF90A60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90A60D1G

جزء الأسهم: 3062

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge,

قائمة الرغبات
APTGF75SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF75SK60D1G

جزء الأسهم: 467

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 355W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات