Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - وحدات

APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170T1G

جزء الأسهم: 539

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H60T3G

جزء الأسهم: 462

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DDA60T3G

جزء الأسهم: 494

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170T1G

جزء الأسهم: 474

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A60T1G

جزء الأسهم: 506

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170D1G

جزء الأسهم: 525

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170D3G

جزء الأسهم: 547

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 530A, أقصى القوة: 1470W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170D1G

جزء الأسهم: 458

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA120D3G

جزء الأسهم: 482

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 440A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120D3G

جزء الأسهم: 515

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 440A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25H120T1G

جزء الأسهم: 449

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 156W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25SK120D1G

جزء الأسهم: 3101

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25DA120D1G

جزء الأسهم: 503

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120T1G

جزء الأسهم: 542

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 156W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20X60T3G

جزء الأسهم: 455

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, أقصى القوة: 62W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

قائمة الرغبات
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120D1G

جزء الأسهم: 495

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DSK60T3G

جزء الأسهم: 520

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, أقصى القوة: 62W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

قائمة الرغبات
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T3G

جزء الأسهم: 543

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, أقصى القوة: 62W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

قائمة الرغبات
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20A60T1G

جزء الأسهم: 446

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, أقصى القوة: 62W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

قائمة الرغبات
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK170D3G

جزء الأسهم: 509

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60TG

جزء الأسهم: 478

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 290A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120D3G

جزء الأسهم: 528

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300A, أقصى القوة: 1050W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT200DA60TG

جزء الأسهم: 520

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 290A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200DA170D3G

جزء الأسهم: 465

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation

APTGT200A60TG

جزء الأسهم: 491

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 290A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170D1G

جزء الأسهم: 479

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 280A, أقصى القوة: 780W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK60TG

جزء الأسهم: 527

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK120TG

جزء الأسهم: 460

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 690W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK120D1G

جزء الأسهم: 445

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 700W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DU60TG

جزء الأسهم: 491

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation

APTGT150DU170G

جزء الأسهم: 520

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 250A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA60TG

جزء الأسهم: 521

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170D1G

جزء الأسهم: 476

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 280A, أقصى القوة: 780W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170G

جزء الأسهم: 517

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 250A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA120D1G

جزء الأسهم: 471

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 700W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA120TG

جزء الأسهم: 482

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 690W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات