Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - وحدات

APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

جزء الأسهم: 546

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

جزء الأسهم: 5307

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

جزء الأسهم: 531

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

جزء الأسهم: 541

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

جزء الأسهم: 521

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

جزء الأسهم: 490

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

جزء الأسهم: 478

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

جزء الأسهم: 540

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 130A, أقصى القوة: 465W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

جزء الأسهم: 464

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, أقصى القوة: 520W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

جزء الأسهم: 555

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

جزء الأسهم: 545

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, أقصى القوة: 520W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

جزء الأسهم: 548

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

جزء الأسهم: 526

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

جزء الأسهم: 526

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 760A, أقصى القوة: 1600W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

قائمة الرغبات
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

جزء الأسهم: 482

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 310W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

جزء الأسهم: 514

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 310W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

جزء الأسهم: 476

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

جزء الأسهم: 541

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

جزء الأسهم: 552

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

جزء الأسهم: 528

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

جزء الأسهم: 3071

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

جزء الأسهم: 518

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 310W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

جزء الأسهم: 496

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

جزء الأسهم: 535

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 310W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

جزء الأسهم: 520

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

جزء الأسهم: 494

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

جزء الأسهم: 483

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

جزء الأسهم: 517

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 550A, أقصى القوة: 1750W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

قائمة الرغبات
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

جزء الأسهم: 472

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

جزء الأسهم: 507

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 580A, أقصى القوة: 2100W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

جزء الأسهم: 463

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 580A, أقصى القوة: 2100W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

جزء الأسهم: 527

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 205W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

قائمة الرغبات
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

جزء الأسهم: 522

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 208W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

قائمة الرغبات
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

جزء الأسهم: 463

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 205W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

قائمة الرغبات
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

جزء الأسهم: 481

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 205W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

قائمة الرغبات
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

جزء الأسهم: 507

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات