الترانزستورات - IGBTs - وحدات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 16

APTGL90DH120T3G

جزء الأسهم: 541

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 385W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

جزء الأسهم: 556

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

جزء الأسهم: 534

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 280W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

جزء الأسهم: 607

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

جزء الأسهم: 579

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 208W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

جزء الأسهم: 542

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 130A, أقصى القوة: 780W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

جزء الأسهم: 560

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 230A, أقصى القوة: 833W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

جزء الأسهم: 5334

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

جزء الأسهم: 574

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT70GR120J

جزء الأسهم: 2416

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 112A, أقصى القوة: 543W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

جزء الأسهم: 2286

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 84A, أقصى القوة: 417W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT200GN60J

جزء الأسهم: 2197

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 283A, أقصى القوة: 682W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

جزء الأسهم: 578

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

جزء الأسهم: 3071

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

جزء الأسهم: 594

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

جزء الأسهم: 580

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 210A, أقصى القوة: 1041W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

جزء الأسهم: 540

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 135A, أقصى القوة: 568W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

جزء الأسهم: 546

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

جزء الأسهم: 581

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

جزء الأسهم: 600

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 210A, أقصى القوة: 961W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

جزء الأسهم: 546

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

جزء الأسهم: 585

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

جزء الأسهم: 3077

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 42A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

جزء الأسهم: 609

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter - IGBT, FET, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

جزء الأسهم: 524

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter - IGBT, FET, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 280W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

جزء الأسهم: 1322

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 215A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

جزء الأسهم: 530

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

جزء الأسهم: 491

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

جزء الأسهم: 539

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

جزء الأسهم: 546

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

جزء الأسهم: 476

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

جزء الأسهم: 466

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

جزء الأسهم: 528

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 156W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

جزء الأسهم: 540

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 156W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

جزء الأسهم: 546

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

جزء الأسهم: 487

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, أقصى القوة: 115W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

قائمة الرغبات